| SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SIR470DP-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Verfügbare Menge | 31246 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
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| Technische Information von SIR470DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SIR470DP-T1-GE3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 | Verfügbare Menge | 31246 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SIR470 | SIR470DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
SIR470DP-T1-GE3
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET.
Marke und Hersteller
Vishay / Siliconix
Merkmale
MOSFET (Metall-Oxid)-Technologie, N-Kanal-Typ, Band- und Spulenverpackung (TR) für automatische Montage, kompatibel mit Oberflächenmontagetechnologie (SMT), RoHS-konform für Umwelt- und Verbrauchersicherheit, blei-frei zur Reduzierung der Toxizität.
Produktleistung
Stützspannung Drain-Source (Vdss) 40V, Dauerdrainstrom (Id) 60A bei 25°C (Tc), niedriger Einschaltwiderstand Rds On 2,3 mOhm bei 20A, 10V, Gate-Ladung (Qg) von 155nC bei 10V, Eingangskapazität (Ciss) von 5660pF bei 20V, geeignet für hohe Temperaturen bis zu 150°C (TJ).
Technische Spezifikationen
Leistungszerfall 6,25W (Ta), 104W (Tc), Gate-Schwellenwertspannung (Vgs(th)) 2,5V bei 250A, Ansteuerspannung 4,5V (Max Rds On), 10V (Min Rds On), Gate-Source-Spannung (Vgs max) ±20V.
Abmessungen, Form und Verpackung
PowerPAK SO-8 Gehäuse, Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK SO-8, verpackt in Band- und Spulenverpackung (TR) für effiziente Montageprozesse.
Qualität und Zuverlässigkeit
Konstruiert von dem renommierten Hersteller Vishay / Siliconix, robust gebaut für anhaltende Leistung.
Produktvorteile
Hohe Drainstromfähigkeit, verbesserte Energieeffizienz mit niedrigem Rds On, geeignet für hochdichte Leistungsanwendungen.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig im Bereich der Hochleistungsdiscrete-Halbleiter, bietet ein gutes Verhältnis von Preis und Leistung.
Kompatibilität
Kompatibel mit standardmäßigen SMT-Fertigungsmethoden, passt zu Standard-Footprints und Montagetechniken des PowerPAK SO-8.
Standardzertifizierung und Konformität
RoHS-konform für Umwelt- und Verbrauchersicherheit.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Entwickelt für eine lange Lebensdauer unter den angegebenen Bedingungen.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Energieverwaltung für Computer- und Netzwerkausrüstung, DC/DC-Wandler, Motorantriebe, batteriebetriebene Systeme, Schaltanwendungen, die eine effiziente Energieverwaltung erfordern.
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| SIR470DP-T1-GE3-Lager | SIR470DP-T1-GE3 Preis | SIR470DP-T1-GE3-Elektronik | |||
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| SIR470DP-T1-GE3 Datenblatt | SIR470DP-T1-GE3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix | |||
| Zugehörige Teile für SIR470DP-T1-GE3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SIR466DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SIR470DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SIR470DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SIR468DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
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SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIR472ADP-T1 | ||||
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SIR472DP | SIR472DP VISHAY | VISHAY | ||
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SIR468DP-T1-GE3 MCU | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
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SiR470DP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
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SIR466DP-T1-GE3 MOS | VISHAY SON8 | VISHAY | ||
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SIR472DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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