| SI7846DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI7846DP-T1-E3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| Verfügbare Menge | 21298 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | SI7846DP-T1-E3.pdf |
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| SI7846DP-T1-E3 Price |
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| Technische Information von SI7846DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI7846DP-T1-E3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 | Verfügbare Menge | 21298 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.9W (Ta) | Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) | Grundproduktnummer | SI7846 |
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Produktmodell
SI7846DP-T1-E3
Einführung
Der SI7846DP-T1-E3 ist ein Einzel-N-Kanal-Transistor, der als diskreter Halbleiter fungiert.
Marke und Hersteller
Hergestellt von Vishay / Siliconix.
Merkmale
Arbeitet mit MOSFET (Metalloxid)-Technologie.
Gehört zur TrenchFET-Serie.
Funktioniert bei Temperaturen zwischen -55˚C und 150˚C (TJ).
Kann oberflächenmontiert werden.
Hat eine maximale Leistungsabgabe von 1,9 W (Ta).
In einem PowerPAK SO-8 Gehäuse verbaut.
Produktleistung
Der Source hat eine Spannungsbewertung von 150 V.
Der Drain hat einen konstanten Strom von 4 A bei 25˚C.
Technische Spezifikationen
Maximaler Widerstand zwischen Drain und Source: 50 mOhm bei 5 A, 10 V.
Gate-Schwellen-Spannung, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5 V @ 250 A.
Maximale Gatelaadung, Qg (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.
Maximale Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10 V.
Maximales Vgs: ±20 V.
Abmessungen, Form und Verpackung
Dieser Transistor ist in einem rechteckigen PowerPAK SO-8 Gehäuse gestaltet und ist oberflächenmontiert. Das Produkt wird in Digi-Reel-Verpackung geliefert.
Qualität und Zuverlässigkeit
Für seine hohe Verarbeitungsqualität und Zuverlässigkeit bekannt, wird dieser Transistor von einem der weltweit angesehensten Halbleiterhersteller, Vishay / Siliconix, hergestellt.
Produktvorteile
Zu seinen Hauptvorteilen gehören die Fähigkeit, bei Temperaturen von bis zu 150˚C und bis zu -55˚C zu arbeiten, sowie der relativ hohe Drainstrom.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Dieser Transistor bietet hohe Leistung und zuverlässigen Betrieb, was ihn zu einer wettbewerbsfähigen Option in seiner Kategorie macht.
Kompatibilität
Seine Kompatibilität bezieht sich auf seinen Typ, d.h. Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel.
Standardzertifizierung und Konformität
Der Transistor SI7846DP-T1-E3 entspricht den branchenspezifischen Standards für seine Kategorie.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Dieses Bauteil bietet eine lange Lebensdauer und nachhaltigen Betrieb innerhalb seines Betriebstemperaturbereichs und unter anderen festgelegten Bedingungen.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Dieser MOSFET-Transistor wird in verschiedenen elektronischen Geräten eingesetzt, in denen Energiemanagement, Signalanpassung und Spannungsregulierung erforderlich sind.
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| SI7846DP-T1-E3-Lager | SI7846DP-T1-E3 Preis | SI7846DP-T1-E3-Elektronik | |||
| SI7846DP-T1-E3-Komponenten | SI7846DP-T1-E3 Inventar | SI7846DP-T1-E3 Digikey | |||
| Lieferant SI7846DP-T1-E3 | SI7846DP-T1-E3 online bestellen | Anfrage SI7846DP-T1-E3 | |||
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| SI7846DP-T1-E3 Datenblatt | SI7846DP-T1-E3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix | |||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SI7846DP | SI7846DP SI | SI | ||
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SI7846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7844DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7846DP-T1 | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7844DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7846DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7846DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7844DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7846DP-T1-E3 MOS | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
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SI7846SAC | SI7846SAC VISHAY | VISHAY | ||
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