| SI7460DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI7460DP-T1-E3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| Verfügbare Menge | 7442 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
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| Technische Information von SI7460DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI7460DP-T1-E3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 | Verfügbare Menge | 7442 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.9W (Ta) | Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta) | Grundproduktnummer | SI7460 |
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Produktmodell
SI7460DP-T1-E3
Einführung
Vishay Siliconix PowerPAK SO-8 N-Kanal MOSFET
Marke und Hersteller
Vishay / Siliconix
Merkmale
N-Kanal TrenchFET-Technologie, hohe Effizienz durch niedrigen Einwiderstand, verbesserte Leistungsdichte
Produktleistung
Betriebstemperaturen von -55°C bis 150°C, anhaltender Abflussstrom von 11A bei 25°C, Leistungsdissipation von 1,9W bei Umgebungstemperatur
Technische Spezifikationen
Drain zu Source Spannung (Vdss) bei 60V, Gate-Source Schwellenspannung (Vgs(th)) max 3V bei 250µA, statischer Drain-Source Einwiderstand (Rds On) 9,6 mOhm bei 18A, 10V
Abmessungen, Form und Verpackung
PowerPAK SO-8 Gehäuse, auf Träger und Rolle (TR) für automatisierte Bestückung geliefert
Qualität und Zuverlässigkeit
Blei-frei und RoHS-konform, für konsistente Leistung und hohe Zuverlässigkeit gebaut
Produktvorteile
Niedriger thermischer Widerstand, geeignet für Hochleistungsdichte-Anwendungen
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig in Hochleistungs-Energiesparanwendungen
Kompatibilität
Kompatibel mit automatisierter Bestückungsprozess, kompatibel mit Oberflächenmontagetechnologien
Standardzertifizierung und Konformität
Blei-frei und RoHS-konform, gewährleistet Einhaltung von Umwelt- und Gesundheitsstandards
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Langlebig mit langer Betriebsdauer unter den angegebenen Bedingungen
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Stromversorgung, Energienutzung, DC-DC-Wandler, Schaltanwendungen
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| SI7460DP-T1-E3-Lager | SI7460DP-T1-E3 Preis | SI7460DP-T1-E3-Elektronik | |||
| SI7460DP-T1-E3-Komponenten | SI7460DP-T1-E3 Inventar | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
| Lieferant SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 online bestellen | Anfrage SI7460DP-T1-E3 | |||
| SI7460DP-T1-E3-Bild | SI7460DP-T1-E3 Bild | SI7460DP-T1-E3 PDF | |||
| SI7460DP-T1-E3 Datenblatt | SI7460DP-T1-E3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix | |||
| Zugehörige Teile für SI7460DP-T1-E3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
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SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
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SI7458DP-T1-GE3 | SI7458DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
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SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
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SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7458DP-T1-E3 | SI7458DP-T1-E3 VISHAT | VISHAT | ||
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SI7459DP | SI7459DP VISHAY | VISHAY | ||
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