SI6954ADQ-T1-GE3 | |
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Artikelnummer | SI6954ADQ-T1-GE3 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP |
Verfügbare Menge | 2613 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.SI6954ADQ-T1-GE3.pdf2.SI6954ADQ-T1-GE3.pdf3.SI6954ADQ-T1-GE3.pdf |
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Technische Information von SI6954ADQ-T1-GE3 | |||
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Hersteller-Teilenummer | SI6954ADQ-T1-GE3 | Kategorie | |
Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP |
Paket / Fall | 8-TSSOP | Verfügbare Menge | 2613 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-TSSOP | Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 3.4A, 10V | Leistung - max | 830mW |
Verpackung / Gehäuse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.1A | Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI6954 | SI6954ADQ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI6954ADQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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SI6954ADQ-T1-GE3
Low-Power Dual N-Channel Logic Level MOSFET
Vishay / Siliconix
Dual N-Channel Konfiguration
Logiklevel-Gate
TrenchFET-Technologie
Niedriger Einschaltwiderstand
Hohe Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Eingangskapazität
Dauerhafte Handhabung des Drain-Stroms von 3,1A bei 25°C
Betriebsfähig bei Temperaturen von -55°C bis 150°C
Leistungseinfaltung bis zu 830mW
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Rds On (Max): 53 mOhm bei 3,4A, 10V
Gate-Schwellenspannung (Vgs(th) (Max)): 1V bei 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max): 16nC bei 10V
8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)
Tape & Reel (TR) für automatisierte Montage
Oberflächenmontagetechnologie
Blei-frei und RoHS-konform für Umweltsicherheit
Hohe thermische Leistung
Langlebig und zuverlässig für dauerhaften Einsatz
Energieeffizienter Betrieb
Geeignet für kompakte Schaltungsdesigns
Hohe Leitfähigkeit mit minimalem Spannungsabfall
Wettbewerbsfähig in stromsparenden Geräten
Starke Leistung in hochdichten Anwendungen
Kompatibel mit modernen PCB-Montageprozessen
RoHS-konform
Blei-frei
Lange Lebensdauer unter normalen Betriebsbedingungen
Trägt zu Energieeinsparungen und weniger Abfall bei
Energiemanagementsysteme
Wandler und Wechselrichter
Unterhaltungselektronik
Telekommunikation
Rechengeräte
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Zugehörige Teile für SI6954ADQ-T1-GE3 | |||||
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SI6954DQ-T1-E3 | SI6954DQ-T1-E3 VB | VB | ||
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SI6955DQ | P-CHANNEL MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
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SI6954ADQ-TI-E3 | VISHAY | |||
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SI6946DQ-T1 | SI6946DQ-T1 SI | SI | ||
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SI6954DQ-T1 | SI6954DQ-T1 SILICONIX | SILICONIX | ||
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SI6954ADQ | SI6954ADQ VISHAT | VISHAT | ||
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