| SI4190ADY-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI4190ADY-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO |
| Verfügbare Menge | 8400 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SI4190ADY-T1-GE3.pdf2.SI4190ADY-T1-GE3.pdf3.SI4190ADY-T1-GE3.pdf4.SI4190ADY-T1-GE3.pdf |
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| Technische Information von SI4190ADY-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI4190ADY-T1-GE3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC | Verfügbare Menge | 8400 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 6W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1970 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18.4A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SI4190 | SI4190ADY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4190ADY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
SI4190ADY-T1-GE3
Einführung
N-Kanal 100V Power MOSFET
Marke und Hersteller
Vishay / Siliconix
Merkmale
Metalloxid-Halbleitertechnologie, Oberflächenmontage SOIC-8 Gehäuse, TrenchFET-Serie mit N-Kanal-Typ, hohe Strombelastbarkeit
Produktleistung
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C, Leistungsdissipation bis zu 6W bei angemessenem thermischen Management, kontinuierlicher Drainstrom von 18,4A bei 25°C, niedriger Rds(on) von 8,8 mOhm bei 15A und 10V
Technische Spezifikationen
Drain-zu-Source-Spannung (Vdss) bewertet bei 100V, Gate-Source-Schwellenwertspannung (Vgs(th)) maximal 2,8V bei 250μA, Gate-Ladung (Qg) von 67nC bei 10V, Eingangskapazität (Ciss) von 1970pF bei 50V, Treiberspannung für voll verbesserte Operation von 4,5V (min) bis 10V (max)
Abmessungen, Form und Verpackung
Breite von 3,90mm mit 8-poligem SOIC-Gehäuse, geliefert in Tape & Reel (TR) Verpackung für automatisierte Montage
Qualität und Zuverlässigkeit
Zuverlässiger Betrieb innerhalb definierter Temperatur- und Leistungsgrenzen
Produktvorteile
Niedriger Einschaltwiderstand für hoch effiziente Leistungswandlung
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig in Anwendungen mit hohem Drainstrom und niedrigem Rds(on)
Kompatibilität
Kompatibel mit standardisierten Oberflächenmontageprozessen
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den branchenüblichen Normen und Maßstäben
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Robuste Konstruktion für eine lange Betriebslebensdauer ausgelegt
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Leistungsmanagement in der Unterhaltungselektronik, Schaltanwendungen in Industriesystemen, DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen
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| SI4190ADY-T1-GE3-Lager | SI4190ADY-T1-GE3 Preis | SI4190ADY-T1-GE3-Elektronik | |||
| SI4190ADY-T1-GE3-Komponenten | SI4190ADY-T1-GE3 Inventar | SI4190ADY-T1-GE3 Digikey | |||
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| SI4190ADY-T1-GE3 Datenblatt | SI4190ADY-T1-GE3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix | |||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SI4186DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO | Vishay Siliconix | ||
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