SI4154DY-T1-GE3 | |
---|---|
Artikelnummer | SI4154DY-T1-GE3 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 36A 8SO |
Verfügbare Menge | 8500 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.SI4154DY-T1-GE3.pdf2.SI4154DY-T1-GE3.pdf3.SI4154DY-T1-GE3.pdf4.SI4154DY-T1-GE3.pdf |
Herunterladen | SI4154DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF |
SI4154DY-T1-GE3 Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
Technische Information von SI4154DY-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Hersteller-Teilenummer | SI4154DY-T1-GE3 | Kategorie | |
Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 36A 8SO |
Paket / Fall | 8-SOIC | Verfügbare Menge | 8500 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4230 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 36A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI4154 | SI4154DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4154DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
Herunterladen | SI4154DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF |
SI4154DY-T1-GE3
N-Kanal 40V TrenchFET Leistungs-MOSFET
Vishay Siliconix
N-Kanal MOSFET, RoHS konform, Oberflächenmontage, TrenchFET-Technologie, niedriger Einschaltwiderstand, hoher kontinuierlicher Drainstrom
Ausgezeichnete thermische Leistung, schnelle Schaltgeschwindigkeiten, hohe Effizienz, stabiler Gate-Schwellenwert
Vdss 40V, Id 36A, Rds On 3,3 mOhm, Qg 105nC, Ciss 4230pF
Gehäuse 8-SOIC, Breite 3,90mm, Tape & Reel-Verpackung
Hohe Haltbarkeit, zuverlässiger Betrieb von -55°C bis 150°C
Energieeffizientes Design, geringer Leitungsverlust, zuverlässige Halbleitertechnologie
Hohe Strombelastbarkeit, wettbewerbsfähiger Rds On-Wert, geeignet für hochdichte Leistungsdesigns
Kompatibel mit Standard-MOSFET-Ansteuersignalen, geeignet für automatisierte Montageprozesse
Blei-frei, RoHS konform
Nachhaltig über umfangreiche Temperaturbereiche, lange betriebliche Lebensdauer
Leistungsmanagement, Schaltregler, Wandler-Schaltungen, Motorantriebe
SI4154DY-T1-GE3-Lager | SI4154DY-T1-GE3 Preis | SI4154DY-T1-GE3-Elektronik | |||
SI4154DY-T1-GE3-Komponenten | SI4154DY-T1-GE3 Inventar | SI4154DY-T1-GE3 Digikey | |||
Lieferant SI4154DY-T1-GE3 | SI4154DY-T1-GE3 online bestellen | Anfrage SI4154DY-T1-GE3 | |||
SI4154DY-T1-GE3-Bild | SI4154DY-T1-GE3 Bild | SI4154DY-T1-GE3 PDF | |||
SI4154DY-T1-GE3 Datenblatt | SI4154DY-T1-GE3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix |
Zugehörige Teile für SI4154DY-T1-GE3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
![]() |
SI4143DY-T1-GE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI4151DY-T1-GE3 | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI4154DY-T1-GE3 MOS | VISHAY SOP-8 | VISHAY | ||
![]() |
SI4143DY-T1 | SOP | |||
![]() |
SI4156DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI4156DY | SI4156DY VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI4158DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI4153DY-T1-GE3 | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI4136XM-BTR | AILI TSSOP/24 | AILI | ||
![]() |
SI4156DY-T1-GE3 MOSFETIGBTIC | VISHAY SOP8 | VISHAY | ||
![]() |
SI4136XM-GTR | SI4136XM-GTR SILICON | SILICON | ||
![]() |
SI4154DY | VISHAY | |||
![]() |
SI4155DY-T1-GE3 | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI4158DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI4154DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SI415 | SI415 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI4136XM-BT | SI4136XM-BT SI | SI | ||
![]() |
SI4156DY-T1-E3 | SI4156DY-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SI4143DY-T1-GE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SI4156DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 24A 8SO | Vishay Siliconix |
Nachrichten
MehrDer PolarRire® Soc FPGA von Microchip hat eine AEC -Q100 -Zertifizierung erhalten und die Zuverlässigkeit unter harten Automobilbedingungen bestäti...
Das PSOCTM 4000T ist das erste Produkt von Infineon, das die CapSense ™ -Technologie der fünften Generation und die Multi-Sense-Funktionalität des ...
Ein Automobil -Manager für Autoteile ergab, dass die EV -Entwicklung auf dem nordamerikanischen Markt ins Stocken geraten ist, da die Autohersteller ...
Infineon und Estron erweitern ihre Zusammenarbeit mit der Zusammenarbeit zwischen AI Battery Management System (BMS) in Industrie- und Unterhaltungsel...
Auf Semiconductor kündigte kürzlich den Start des ITOF-Sensors in Echtzeit, die Hyperlux-ID-Serie, die eine hochpräzise Langstreckenmessung und die...
Neue Produkte
MehrPD30 Serie Photoelektrischer Sensor Die Miniatur-Lichtschranken von Carlo Gavazzi sind leistungsstar...
XC112 / XR112 Evaluierungskit für das gepulste kohärente Radar A111Acconeers XC112 und XR112 Evaluierungskit mit flachen flexiblen Kabeln und Unters...
MINAS A6-Serie Servoantriebe und Motoren Panasonics MINAS A6-Familie gewährleistet einen stabilen B...
UV-LED-Treiberplatine RayVios UV-LED-Treiberplatine für XE- und XP1-UV-C-Emitter RayVios ultravio...
Industrieller und erweiterter Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-Bausteine garantieren den Betri...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.