IRFZ40PBF
Artikelnummer IRFZ40PBF
Hersteller Vishay Siliconix
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
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Technische Information von IRFZ40PBF
Hersteller-Teilenummer IRFZ40PBF Kategorie  
Hersteller Vishay / Siliconix Beschreibung MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Paket / Fall TO-220AB Verfügbare Menge 10050 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)
Grundproduktnummer IRFZ40 IRFZ40PBF Einzelheiten PDF [English] IRFZ40PBF PDF - EN.pdf
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Produktmodell

IRFZ40PBF

Einführung

Der IRFZ40PBF ist ein Produkt von Vishay / Siliconix. Er gehört zur Hauptkategorie der diskreten Halbleiter und ist unter Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel eingestuft.

Marke und Hersteller

Vishay / Siliconix

Merkmale

Technologie: MOSFET (Metalloxid)

FET-Typ: N-Kanal

Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V

Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V; Vgs (Max): ±20V

Produktleistung

Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)

Montageart: Durchsteckmontage

Gehäuse: TO-220-3

Liefergerät Paket: TO-220AB

Verlustleistung (Max): 150W (Tc)

Dauerstrom Durchgang (Id) @ 25°C: 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mΩ @ 31A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250A

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V

Eingangs-Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V

Technische Spezifikationen

Herstellerteilenummer: IRFZ40PBF

Abmessungen, Form und Verpackung

Verpackt in einem Rohr mit dem Gehäuse TO-220AB. Verfügt über eine Durchsteckmontage.

Qualität und Zuverlässigkeit

Verfügt über eine robuste Konstruktion, die eine optimale Leistung selbst bei extremen Temperaturen von -55°C bis 175°C ermöglicht.

Produktvorteile

Bietet eine hohe Drain-Source-Spannung von 60V und einen kontinuierlichen Drainstrom von 50A bei 25°C, was eine effiziente Leistung gewährleistet.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Die maximale Verlustleistung beträgt 150W, was im Vergleich zu ähnlichen Produkten sehr wettbewerbsfähig ist.

Kompatibilität

Kann aufgrund seiner MOSFET-Technologie und N-Kanal-FET-Typ mit verschiedenen Anwendungen kompatibel sein.

Standardzertifizierung und Konformität

Der Hersteller sollte spezifische Informationen zu Standardzertifizierungen und der Einhaltung von Normen bereitstellen.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Die Lebensdauer und Nachhaltigkeit des Transistors hängen weitgehend von den Einsatzbedingungen ab. Eine ordnungsgemäße Montage und Nutzung innerhalb des angegebenen Temperaturbereichs wird die Lebensdauer verlängern.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Dieses Produkt kann in einer Vielzahl von Bereichen angewendet werden, darunter Elektronik, Kommunikation und industrielle Anwendungen. Seine Hauptfunktion besteht darin, die Spannung und den Stromfluss zwischen Source und Drain zu steuern.

IRFZ40PBF sind neu und original auf Lager, finden Sie IRFZ40PBF Elektronikkomponenten-Vorrat, Datenblatt, Bestand und Preis bei Ariat-Tech.com online, bestellen Sie IRFZ40PBF Vishay Siliconix mit Garantie und Vertrauen von Ariat Technology Limitd. Versand per DHL / FedEx / UPS. Zahlung per Überweisung oder PayPal ist in Ordnung.
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