IRFZ40PBF | |
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Artikelnummer | IRFZ40PBF |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB |
Verfügbare Menge | 10050 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.IRFZ40PBF.pdf2.IRFZ40PBF.pdf |
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IRFZ40PBF Price |
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Technische Information von IRFZ40PBF | |||
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Hersteller-Teilenummer | IRFZ40PBF | Kategorie | |
Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB |
Paket / Fall | TO-220AB | Verfügbare Menge | 10050 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 31A, 10V |
Verlustleistung (max) | 150W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRFZ40 | IRFZ40PBF Einzelheiten PDF [English] | IRFZ40PBF PDF - EN.pdf |
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IRFZ40PBF
Der IRFZ40PBF ist ein Produkt von Vishay / Siliconix. Er gehört zur Hauptkategorie der diskreten Halbleiter und ist unter Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel eingestuft.
Vishay / Siliconix
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
FET-Typ: N-Kanal
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V; Vgs (Max): ±20V
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Durchsteckmontage
Gehäuse: TO-220-3
Liefergerät Paket: TO-220AB
Verlustleistung (Max): 150W (Tc)
Dauerstrom Durchgang (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mΩ @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250A
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Eingangs-Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Herstellerteilenummer: IRFZ40PBF
Verpackt in einem Rohr mit dem Gehäuse TO-220AB. Verfügt über eine Durchsteckmontage.
Verfügt über eine robuste Konstruktion, die eine optimale Leistung selbst bei extremen Temperaturen von -55°C bis 175°C ermöglicht.
Bietet eine hohe Drain-Source-Spannung von 60V und einen kontinuierlichen Drainstrom von 50A bei 25°C, was eine effiziente Leistung gewährleistet.
Die maximale Verlustleistung beträgt 150W, was im Vergleich zu ähnlichen Produkten sehr wettbewerbsfähig ist.
Kann aufgrund seiner MOSFET-Technologie und N-Kanal-FET-Typ mit verschiedenen Anwendungen kompatibel sein.
Der Hersteller sollte spezifische Informationen zu Standardzertifizierungen und der Einhaltung von Normen bereitstellen.
Die Lebensdauer und Nachhaltigkeit des Transistors hängen weitgehend von den Einsatzbedingungen ab. Eine ordnungsgemäße Montage und Nutzung innerhalb des angegebenen Temperaturbereichs wird die Lebensdauer verlängern.
Dieses Produkt kann in einer Vielzahl von Bereichen angewendet werden, darunter Elektronik, Kommunikation und industrielle Anwendungen. Seine Hauptfunktion besteht darin, die Spannung und den Stromfluss zwischen Source und Drain zu steuern.
IRFZ40PBF-Lager | IRFZ40PBF Preis | IRFZ40PBF-Elektronik | |||
IRFZ40PBF-Komponenten | IRFZ40PBF Inventar | IRFZ40PBF Digikey | |||
Lieferant IRFZ40PBF | IRFZ40PBF online bestellen | Anfrage IRFZ40PBF | |||
IRFZ40PBF-Bild | IRFZ40PBF Bild | IRFZ40PBF PDF | |||
IRFZ40PBF Datenblatt | IRFZ40PBF Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix |
Zugehörige Teile für IRFZ40PBF | |||||
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Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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