SSM3J35MFV,L3F
Artikelnummer SSM3J35MFV,L3F
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Verfügbare Menge 2667 pcs new original in stock.
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ECAD -Modell
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Technische Information von SSM3J35MFV,L3F
Hersteller-Teilenummer SSM3J35MFV,L3F Kategorie  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Beschreibung MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Paket / Fall VESM Verfügbare Menge 2667 pcs
VGS (th) (Max) @ Id - Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse VESM Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 50mA, 4V Verlustleistung (max) 150mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse SOT-723 Paket Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.2 pF @ 3 V Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) Grundproduktnummer SSM3J35
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