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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiter-Produkte Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel SSM3J140TU,LXHF
SSM3J140TU,LXHF
Artikelnummer SSM3J140TU,LXHF
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Verfügbare Menge 126 pcs in stock
ECAD -Modell
Datenblätter SSM3J140TU,LXHF.pdf
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Technische Information von SSM3J140TU,LXHF
Hersteller-Teilenummer SSM3J140TU,LXHF Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Beschreibung SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Paket / Fall UFM Verfügbare Menge 126 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Vgs (Max) +6V, -8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse UFM
Serie Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Leads
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.8 nC @ 4.5 V Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta)
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