Produktmodell

K9F1G08U0B-PC80

Einführung

Samsung Halbleiter NAND-Flash-Speicher

Marke und Hersteller

Samsung Halbleiter

Merkmale

1 GB native Kapazität, NAND-Flash-Architektur, Hochdichtes Speichermodul, Geringer Stromverbrauch, Seitenformat von 2K Byte

Produktleistung

Schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, Hohe Lebensdauer mit hohen Programmier-/Löschzyklen, Unterstützung für Fehlerkorrekturcode (ECC)

Technische Spezifikationen

Spannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V, Serielle Zugriffszeit: 25 ns

Abmessungen, Form und Verpackung

48-Pin TSOP-Gehäuse, Standard-Chip-Formfaktor, Feuchtigkeitsempfindliche Verpackung

Qualität und Zuverlässigkeit

MTBF-Zahlen bereitgestellt, Ergebnisse von Stresstests verfügbar, Qualitäts- und Zuverlässigkeitssicherung von Samsung

Produktvorteile

Hohe Speicherdichte, Robuste Leistung bei verschiedenen Temperaturen, Zuverlässigkeit der Marke Samsung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Preise auf dem Markt für Flash-Speicher, Ruf von Samsung für langlebige Speicherprodukte

Kompatibilität

Unterstützt Standard-NAND-Flash-Schnittstellen, Nützlich in verschiedenen Arten von eingebetteten Systemen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den Standardanforderungen für Flash-Speicher, RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer typisch für NAND-Speicher, RoHS-Konformität weist auf reduzierte gefährliche Substanzen hin

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Unterhaltungselektronik, Mobile Geräte, Solid-State-Laufwerke (SSDs), USB-Flash-Laufwerke

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