K6T4016U3B-TF85
Artikelnummer K6T4016U3B-TF85
Hersteller SAMSUNG
Beschreibung K6T4016U3B-TF85 SAMSUNG
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Technische Information von K6T4016U3B-TF85
Hersteller-Teilenummer K6T4016U3B-TF85 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Samsung Semiconductor Beschreibung K6T4016U3B-TF85 SAMSUNG
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Produktmodell

K6T4016U3B-TF85

Einführung

Leistungsstarke CMOS-Statische-Random-Access-Speicher (SRAM)

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Niedrigenergie-SRAM, TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge, automatischer Abschaltbetrieb bei Nichtauswahl

Produktleistung

Schneller Zugriffszeit, niedriger Daten-Retentionsspannung, minimaler Daten-Retention-Strom

Technische Spezifikationen

256Kx16-Bit-Organisation, Betriebsspannungsbereich: 2,7V bis 3,6V, Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +85°C

Abmessungen, Form und Verpackung

48-Fine-pitch Dünner Klein-Plastikgehäuse (TSOP1)

Qualität und Zuverlässigkeit

Getestet auf Langlebigkeit und Stabilität, entspricht den Qualitätsstandards von Samsung

Produktvorteile

Hocheffiziente SRAM-Lösung, geringer Energieverbrauch ideal für batteriegestützte Anwendungen

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Ruf und technologisches Know-how von Samsung, wettbewerbsfähige Preise und Leistung

Kompatibilität

Kompatibel mit einer breiten Palette von Mikroprozessoren und digitalen Signalprozessoren

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt JEDEC-Standards für SRAM

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Erweiterter Lebenszyklus für Industriequalitätsspeicheranforderungen, Einhaltung von Umweltstandards

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Telekommunikation, Computersysteme, tragbare Elektronik, Automobil-Elektronik

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