Produktmodell

K6R4008V1C-JC10

Einführung

Hochdichtes SRAM-Speicherchip

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Niedrigenergie-CMOS-Technologie, Hochgeschwindigkeitszugriff und geringe Zykluszeit, Erweiteter Temperaturbereich, Stabile Lese-/Schreibleistung

Produktleistung

Hohe Datenhaltungsstabilität, Effizienter Toggle-Modus zur Geschwindigkeitssteigerung, Zuverlässiger Betrieb unter erweiterten Spannungsbedingungen

Technische Spezifikationen

8-Bit-Eingangs- und Ausgangsschnittstelle, Einzelne 5V-Stromversorgung, Zentrale Masse-Pin-Konfiguration, Statischer Betrieb – keine Taktung oder Aktualisierung erforderlich

Abmessungen, Form und Verpackung

32-Pin-SOP-Gehäuse, Schlankes und kompaktes Design geeignet für die PCB-Integration, Standard JEDEC-zugelassene Umrissform für Kompatibilität

Qualität und Zuverlässigkeit

Umfangreiche Stresstests während der Herstellung, Strenge Qualitätskontrollrichtlinien, Entwickelt, um stabile Leistung über die Produktlebensdauer zu bieten

Produktvorteile

Hohe Datenbandbreitfähigkeit, Optimiert für leistungsempfindliche Anwendungen, Einfache Gestaltung mit asynchroner Schnittstelle

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Fortschrittliche Fertigung von einer renommierten Marke, Robust für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen, Wettbewerbsvorteil in der Energieeffizienz

Kompatibilität

Konform mit JEDEC-Standards für SRAM, Entwickelt, um mit Hochgeschwindigkeits-Mikroprozessoren kompatibel zu sein

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den Standard-Spezifikationen für den Betriebs- und Standby-Strom, Hält die Umweltvorschriften für Halbleitergeräte ein

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Erweiterte Betriebslebensdauer, Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit in eingebetteten Systemen

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Geeignet für Telekommunikationsgeräte, Ideal für automobile Elektronik, Eingebettete Systeme und IoT-Geräte, Industriesteuerungen und Automatisierungssysteme

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