K4W1G1646E-HC15
Artikelnummer K4W1G1646E-HC15
Hersteller SAMSUNG
Beschreibung SAMSUNG BGA
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Technische Information von K4W1G1646E-HC15
Hersteller-Teilenummer K4W1G1646E-HC15 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Samsung Semiconductor Beschreibung SAMSUNG BGA
Paket / Fall BGA Verfügbare Menge 1569 pcs
Bedingung New Original Stock Garantie 100% Perfect Functions
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Produktmodell

K4W1G1646E-HC15

Einführung

DDR3 SDRAM Speicher-IC

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung, Niedrigspannungseinsatz, Hochgeschwindigkeits-synchrones DRAM, 8 interne Banken für gleichzeitige Betriebsabläufe

Produktleistung

Datenraten von bis zu 1866 Mt/s, Cas-Latenz 15 (CL15), duale differenzielle Datentaktung

Technische Spezifikationen

Speichergröße: 1Gb, Speichertyp: DDR3 SDRAM, Taktfrequenz: bis zu 933 MHz, I/O-Spannung: 1.5V

Abmessungen, Form und Verpackung

Feine Ball-Grid-Array (FBGA) Verpackung

Qualität und Zuverlässigkeit

Erweiterter Temperaturbereich, JEDEC Standardkonformität

Produktvorteile

Energieeffizient, Hohe Datenbandbreite, Stabile und bewährte Technologie

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Renommierte Marke, Breite Anwendung in der Industrie, Gutes Preis-Leistungs-Verhältnis

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-DDR3-SDRAM-Steckplätzen, Ideal für PC- und Serveranwendungen

Standardzertifizierung und Konformität

JEDEC konform, RoHS konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Erweiterte Betriebslebensdauer, Hergestellt aus langlebigen Materialien

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Personal Computing, Server, Hochleistungscomputersysteme, Netzwerkausrüstung

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