Produktmodell

K4B4G3146C-SYF8

Einführung

Hochleistungs-DDR3-SDRAM-IC

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hohe Datenübertragungsraten, geringer Stromverbrauch, 8 interne Speicherbänke für gleichzeitige Operationen

Produktleistung

Unterstützt Datenraten von bis zu 1866 Mbps, temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (TCSR), programmierbare CAS-Latenz und Burstlänge

Technische Spezifikationen

DDR3 SDRAM-Technologie, Datenbreite: 4 Bit, Speicherkapazität: 4 Gb

Abmessungen, Form und Verpackung

Ball Grid Array (BGA)-Gehäuse, flach für kompakte Installationen

Qualität und Zuverlässigkeit

Eingeschränkter Temperaturbereich für Betrieb, hohe Haltbarkeit bei kontinuierlicher Datennutzung, JEDEC-konform für Zuverlässigkeitsstandards

Produktvorteile

Optimiert für Hochgeschwindigkeits-Computinganwendungen, verbesserte Wärmeableitung für bessere Stabilität

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Marktführende Leistung in der DDR3-Kategorie, weit verbreitet in Verbrauchermärkten und Industrieanwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-DDR3-SDRAM-Sockeln, erfüllt Standardspannungs- und Timing-Spezifikationen für Interoperabilität

Standardzertifizierung und Konformität

JEDEC-Standard-konform, RoHS-konform für Umweltschutz

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit, unterstützt Energiesparmodi zur Lebensdauerverlängerung und zur Reduzierung der Umweltbelastung

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Verbraucherelektronik, Computergeräte, Netzwerkhardware, eingebettete Systeme

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