2SK2225-E
Artikelnummer 2SK2225-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc
Beschreibung MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM
Verfügbare Menge 13000 pcs new original in stock.
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Technische Information von 2SK2225-E
Hersteller-Teilenummer 2SK2225-E Kategorie  
Hersteller Renesas Electronics Corporation Beschreibung MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM
Paket / Fall TO-3PFM Verfügbare Menge 13000 pcs
VGS (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-3PFM
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 1A, 15V
Verlustleistung (max) 50W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-3PFM, SC-93-3
Paket Tube Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 984.7 pF @ 30 V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) Grundproduktnummer 2SK2225
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Produktmodell

2SK2225-E

Einführung

N-Kanal MOSFET

Marke und Hersteller

Renesas Electronics America

Merkmale

N-Kanal MOSFET, Hohe Drain-Source-Spannung (Vdss) von 1500V, Niedrige Ein-Widerstandswert, Schnelles Schalten, Durchsteckmontage

Produktleistung

Ständiger Drain-Strom von 2A bei 25°C, Leistungsabgabe von 50W (Tc), Betriebstemperatur bis 150°C (TJ)

Technische Spezifikationen

MOSFET (Metalloxid) Technologie, Maximale Rds On 12 Ohm bei 1A, 15V, Eingangskapazität (Ciss) von 984,7pF bei Vds von 30V

Abmessungen, Form und Verpackung

TO-3PFM Gehäuse, Liefergerätegehäuse TO-3PFM, Herstellerpackung TO-3PFM, Verpackungsröhre

Qualität und Zuverlässigkeit

Blei-frei / RoHS-konform, Hochwertige Materialien und Fertigungsprozesse

Produktvorteile

Verbesserte Leistungsfähigkeit, Zuverlässig für Hochspannungsanwendungen

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in Hochspannungs-Kondensator-Anwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Hochspannungs-Schaltkreisen

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Lebensdauer bei ordnungsgemäßer Nutzung

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Leistungsmangement-Anwendungen, Hochspannungsschalten, Spannungsversorgungsgeräte, Industrielle Automatisierung

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