| MT49H32M9SJ-25:B | |
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| Artikelnummer | MT49H32M9SJ-25:B |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Beschreibung | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA |
| Verfügbare Menge | 2523 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.MT49H32M9SJ-25:B.pdf2.MT49H32M9SJ-25:B.pdf3.MT49H32M9SJ-25:B.pdf4.MT49H32M9SJ-25:B.pdf5.MT49H32M9SJ-25:B.pdf |
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| Technische Information von MT49H32M9SJ-25:B | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | MT49H32M9SJ-25:B | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Hersteller | Micron Technology | Beschreibung | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA |
| Paket / Fall | 144-FBGA (18.5x11) | Verfügbare Menge | 2523 pcs |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - | Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Technologie | DRAM | Supplier Device-Gehäuse | 144-FBGA (18.5x11) |
| Serie | - | Verpackung / Gehäuse | 144-TFBGA |
| Paket | Tray | Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 288Mbit | Speicherorganisation | 32M x 9 |
| Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | DRAM |
| Uhrfrequenz | 400 MHz | Grundproduktnummer | MT49H32M9 |
| Zugriffszeit | 20 ns | MT49H32M9SJ-25:B Einzelheiten PDF [English] | MT49H32M9SJ-25:B PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
MT49H32M9SJ-25:B
Einführung
Der volitionale DRAM von Micron mit einer Größe von 288Mbit ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert.
Marke und Hersteller
Micron Technology
Merkmale
Speicher mit hoher Dichte, parallele Speicher-Schnittstelle, unterstützt hohe Taktfrequenzen für schnelleren Zugriff.
Produktleistung
288Mbit Speichergröße, 32M x 9 Organisation für effiziente Adressierung, Zugriffszeit von 20 Nanosekunden, arbeitet bei Taktfrequenzen von bis zu 400 MHz.
Technische Spezifikationen
Speicherart: DRAM, Technologie: DRAM-Format, Speichergröße: 288Mbit.
Abmessungen, Form und Verpackung
Oberflächenmontage im 144-TFBGA-Gehäuse, Liefergerätepaketgröße: 144-FBGA (18.5x11).
Qualität und Zuverlässigkeit
Funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von 0°C bis 95°C.
Produktvorteile
Schneller Speicherzugriff, geeignet für Hochleistungsrechenaufgaben.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Der veraltete Status impliziert eine begrenzte Konkurrenz auf den zeitgenössischen Märkten.
Kompatibilität
Kompatibel mit Systemen, die parallele DRAM-Schnittstellen erfordern.
Standardzertifizierung und Konformität
Einhaltung der Standards gemäß Micron-Vorschriften für DRAM-Produkte.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Zuverlässigkeit unterstützt durch Microns Sorgfalt in der Fertigung.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Wird in Systemen verwendet, bevor moderne Speicher dieses Produkt abgelöst haben.
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