MT48LC4M16A2TG-6:G
Artikelnummer MT48LC4M16A2TG-6:G
Hersteller Micron Technology Inc.
Beschreibung IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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Technische Information von MT48LC4M16A2TG-6:G
Hersteller-Teilenummer MT48LC4M16A2TG-6:G Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Micron Technology Beschreibung IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Paket / Fall 54-TSOP II Verfügbare Menge 3013 pcs
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 12ns Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V
Technologie SDRAM Supplier Device-Gehäuse 54-TSOP II
Serie - Verpackung / Gehäuse 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paket Tray Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount Speichertyp Volatile
Speichergröße 64Mbit Speicherorganisation 4M x 16
Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat DRAM
Uhrfrequenz 167 MHz Grundproduktnummer MT48LC4M16A2
Zugriffszeit 5.5 ns MT48LC4M16A2TG-6:G Einzelheiten PDF [English] MT48LC4M16A2TG-6:G PDF - EN.pdf
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Produktmodell

MT48LC4M16A2TG-6:G

Einführung

64Mbit SDRAM Speicherchip

Marke und Hersteller

Micron Technology

Merkmale

Hochdichte 64Mbit Speicherung, flüchtiger Speichertyp, SDRAM-Technologie für höhere Bandbreite, parallele Speicher-Schnittstelle für breite Kompatibilität

Produktleistung

Schnelle Taktfrequenz von 167 MHz, schnelle Schreibzykluszeit von nur 12 ns, kurzer Zugriffszeit von 5,5 ns

Technische Spezifikationen

Speichergröße: 64Mbit (4M x 16 Anordnung), Versorgungsspannungsbereich: 3V bis 3,6V

Abmessungen, Form und Verpackung

Oberflächenmontierte 54-TSOP II Verpackung, Abmessungen: Breite 10,16 mm

Qualität und Zuverlässigkeit

Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 70°C

Produktvorteile

Für Hochgeschwindigkeitsanwendungen konzipiert, zuverlässige Datenspeicherlösung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Veraltetes Bauteil mit wettbewerbsfähigen Legacy-Anwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit Systemen, die parallelen DRAM-Speicher erfordern

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den branchenspezifischen Standardspezifikationen für SDRAM

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige zuverlässige Leistung innerhalb der Standardtemperaturbereiche konzipiert

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Verwendet in älteren Computergenerationen, eingebetteten Systemen und anderen elektronischen Geräten, die DRAM benötigen

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