MT46H8M16LFCF-75 | |
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Artikelnummer | MT46H8M16LFCF-75 |
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Beschreibung | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA |
Verfügbare Menge | 2865 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | MT46H8M16LFCF-75.pdf |
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Technische Information von MT46H8M16LFCF-75 | |||
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Hersteller-Teilenummer | MT46H8M16LFCF-75 | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Hersteller | Micron Technology | Beschreibung | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA |
Paket / Fall | 60-VFBGA (8x10) | Verfügbare Menge | 2865 pcs |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns | Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR | Supplier Device-Gehäuse | 60-VFBGA (8x10) |
Serie | - | Verpackung / Gehäuse | 60-VFBGA |
Paket | Tray | Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 128Mbit | Speicherorganisation | 8M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 133 MHz | Grundproduktnummer | MT46H8M16 |
Zugriffszeit | 6 ns | MT46H8M16LFCF-75 Einzelheiten PDF [English] | MT46H8M16LFCF-75 PDF - EN.pdf |
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MT46H8M16LFCF-75
Veralteter mobiler LPDDR SDRAM, der für Hochgeschwindigkeits-Datenspeicheranwendungen konzipiert ist.
Micron Technology
Flüchtiger Speichertyp, SDRAM-Technologie optimiert für mobile Geräte, parallele Speicheranbindung.
Takthäufigkeit: 133 MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns, Zugriffszeit: 6 ns.
Speicherkapazität: 128 Mbit, Speicherorganisation: 8M x 16, Spannung - Versorgung: 1,7V ~ 1,9V.
Verpackung: 60-VFBGA (8x10).
Entwickelt für Standardbetriebstemperaturen von 0°C bis 70°C.
Schnelle Zugriffs- und Schreibzeiten, die für leistungsintensive Anwendungen geeignet sind.
Hohe Taktraten in einem kompakten und effizienten VFBGA-Gehäuse.
Kompatibel mit Systemen, die eine parallele Schnittstelle und niederleistungsfähigen SDRAM erfordern.
Entspricht den Standard-SDRAM-Anforderungen für mobile Geräte.
Standardlebensdauer für flüchtige Speicherprodukte, mit Fokus auf Zuverlässigkeit unter den angegebenen Betriebstemperaturen.
Verwendet in mobilen Computing-Geräten, die schnellen und effizienten Speicher benötigen.
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