| MT41K512M8RH-125:E | |
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| Artikelnummer | MT41K512M8RH-125:E |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Beschreibung | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
| Verfügbare Menge | 2931 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.MT41K512M8RH-125:E.pdf2.MT41K512M8RH-125:E.pdf3.MT41K512M8RH-125:E.pdf4.MT41K512M8RH-125:E.pdf |
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| Technische Information von MT41K512M8RH-125:E | |||
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| Hersteller-Teilenummer | MT41K512M8RH-125:E | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Hersteller | Micron Technology | Beschreibung | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
| Paket / Fall | 78-FBGA (9x10.5) | Verfügbare Menge | 2931 pcs |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - | Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Technologie | SDRAM - DDR3L | Supplier Device-Gehäuse | 78-FBGA (9x10.5) |
| Serie | - | Verpackung / Gehäuse | 78-TFBGA |
| Paket | Tray | Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 4Gbit | Speicherorganisation | 512M x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | DRAM |
| Uhrfrequenz | 800 MHz | Grundproduktnummer | MT41K512M8 |
| Zugriffszeit | 13.75 ns | MT41K512M8RH-125:E Einzelheiten PDF [English] | MT41K512M8RH-125:E PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
MT41K512M8RH-125:E
Einführung
Veralteter 4Gbit DDR3L SDRAM-Speicherchip
Marke und Hersteller
Micron Technology
Merkmale
Volatile Speicher, SDRAM - DDR3L-Technologie, 4Gbit Arbeitsspeichergröße, 512M x 8 Speicherorganisation, parallele Speicher-Schnittstelle, Oberflächenmontageart.
Produktleistung
Taktfrequenz von 800 MHz, Zugriffszeit von 13,75 ns, unterstützt Spannungsspeisung von 1,283V bis 1,45V.
Technische Spezifikationen
Arbeitsspeichertyp DDR3L, Speicherformat DRAM, Arbeitsspeichergröße 4Gbit, Taktfrequenz 800 MHz.
Abmessungen, Form und Verpackung
78-TFBGA-Paket, 78-FBGA (9x10,5) Liefergerätepaket, optimierte Abmessungen und Form für Oberflächenmontage.
Qualität und Zuverlässigkeit
Für hohe Zuverlässigkeit und Qualität entwickelt, Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 95°C.
Produktvorteile
Hohe Zugriffsgeschwindigkeit und Bandbreite, geringe Betriebsspannung für Energieeffizienz.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig in Anwendungen, die hohe Speicherbandbreite erfordern, geeignet für Hochleistungsrechnen mit veraltetem Status.
Kompatibilität
Parallele Speicher-Schnittstelle mit bestimmten Mikroprozessoren und Controllern kompatibel.
Standardzertifizierung und Konformität
Produktionsstandards gemäß der Qualitätskonformität von Micron Technology.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Lebensdauer entsprechend typischer DRAM-Nutzung und Nachhaltigkeitsüberlegungen gestaltet.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Geeignet für den Einsatz in Hochleistungsrechnen vor Erreichen des veralteten Status.
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| MT41K512M8RH-125:E-Komponenten | MT41K512M8RH-125:E Inventar | MT41K512M8RH-125:E Digikey |
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