MT41K256M16TW-125:P | |
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Artikelnummer | MT41K256M16TW-125:P |
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Beschreibung | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
Verfügbare Menge | 2833 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.MT41K256M16TW-125:P.pdf2.MT41K256M16TW-125:P.pdf3.MT41K256M16TW-125:P.pdf4.MT41K256M16TW-125:P.pdf |
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Technische Information von MT41K256M16TW-125:P | |||
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Hersteller-Teilenummer | MT41K256M16TW-125:P | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Hersteller | Micron Technology | Beschreibung | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
Paket / Fall | 96-FBGA (8x14) | Verfügbare Menge | 2833 pcs |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - | Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Technologie | SDRAM - DDR3L | Supplier Device-Gehäuse | 96-FBGA (8x14) |
Serie | - | Verpackung / Gehäuse | 96-TFBGA |
Paket | Tray | Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Gbit | Speicherorganisation | 256M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 800 MHz | Grundproduktnummer | MT41K256M16 |
Zugriffszeit | 20 ns | MT41K256M16TW-125:P Einzelheiten PDF [English] | MT41K256M16TW-125:P PDF - EN.pdf |
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MT41K256M16TW-125:P
DDR3L SDRAM-Speicherbaustein, der für den Hochgeschwindigkeitsdatenverkehr und den Betrieb bei Niederspannung entwickelt wurde.
Micron Technology
Flüchtiger Speicher-Typ, DDR3L SDRAM-Technologie, Betrieb bei niedriger Spannung
Taktrate von 800 MHz, Zugriffszeit von 20 ns, Betriebsbereich von 1,283 V bis 1,45 V
Speicherkapazität von 4 Gbit, Speicherorganisation ist 256M x 16, Speicher-Interface ist parallel
96-TFBGA-Gehäuse, Oberflächenmontage als Montagetyp, Gehäuseabmessungen sind 8x14 mm
Entwickelt für den Betrieb zwischen 0°C und 95°C
Geringer Stromverbrauch durch DDR3L-Technologie, hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit mit 800 MHz Taktrate
Wettbewerbsfähig in Anwendungen, die Hochgeschwindigkeits- und Niederspannungsspeicherlösungen erfordern
Kompatibel mit Systemen, die DDR3L SDRAM mit parallelem Interface benötigen
Entspricht den Standardanforderungen für DDR3L SDRAM
Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit unter den angegebenen Betriebsbedingungen
Eingesetzt in Computer- und digitalen Elektronikgeräten, die Hochgeschwindigkeits-Speicher benötigen
MT41K256M16TW-125:P-Lager | MT41K256M16TW-125:P Preis | MT41K256M16TW-125:P-Elektronik |
MT41K256M16TW-125:P-Komponenten | MT41K256M16TW-125:P Inventar | MT41K256M16TW-125:P Digikey |
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