MT41K256M16TW-125:P
Artikelnummer MT41K256M16TW-125:P
Hersteller Micron Technology Inc.
Beschreibung IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
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Technische Information von MT41K256M16TW-125:P
Hersteller-Teilenummer MT41K256M16TW-125:P Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Micron Technology Beschreibung IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Paket / Fall 96-FBGA (8x14) Verfügbare Menge 2833 pcs
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - Spannungsversorgung 1.283V ~ 1.45V
Technologie SDRAM - DDR3L Supplier Device-Gehäuse 96-FBGA (8x14)
Serie - Verpackung / Gehäuse 96-TFBGA
Paket Tray Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount Speichertyp Volatile
Speichergröße 4Gbit Speicherorganisation 256M x 16
Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat DRAM
Uhrfrequenz 800 MHz Grundproduktnummer MT41K256M16
Zugriffszeit 20 ns MT41K256M16TW-125:P Einzelheiten PDF [English] MT41K256M16TW-125:P PDF - EN.pdf
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Produktmodell

MT41K256M16TW-125:P

Einführung

DDR3L SDRAM-Speicherbaustein, der für den Hochgeschwindigkeitsdatenverkehr und den Betrieb bei Niederspannung entwickelt wurde.

Marke und Hersteller

Micron Technology

Merkmale

Flüchtiger Speicher-Typ, DDR3L SDRAM-Technologie, Betrieb bei niedriger Spannung

Produktleistung

Taktrate von 800 MHz, Zugriffszeit von 20 ns, Betriebsbereich von 1,283 V bis 1,45 V

Technische Spezifikationen

Speicherkapazität von 4 Gbit, Speicherorganisation ist 256M x 16, Speicher-Interface ist parallel

Abmessungen, Form und Verpackung

96-TFBGA-Gehäuse, Oberflächenmontage als Montagetyp, Gehäuseabmessungen sind 8x14 mm

Qualität und Zuverlässigkeit

Entwickelt für den Betrieb zwischen 0°C und 95°C

Produktvorteile

Geringer Stromverbrauch durch DDR3L-Technologie, hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit mit 800 MHz Taktrate

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in Anwendungen, die Hochgeschwindigkeits- und Niederspannungsspeicherlösungen erfordern

Kompatibilität

Kompatibel mit Systemen, die DDR3L SDRAM mit parallelem Interface benötigen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den Standardanforderungen für DDR3L SDRAM

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit unter den angegebenen Betriebsbedingungen

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Eingesetzt in Computer- und digitalen Elektronikgeräten, die Hochgeschwindigkeits-Speicher benötigen

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