MIC4422ZM-TR | |
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Artikelnummer | MIC4422ZM-TR |
Hersteller | Microchip Technology |
Beschreibung | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
Verfügbare Menge | 5434 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.MIC4422ZM-TR.pdf2.MIC4422ZM-TR.pdf3.MIC4422ZM-TR.pdf4.MIC4422ZM-TR.pdf5.MIC4422ZM-TR.pdf |
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MIC4422ZM-TR Price |
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Technische Information von MIC4422ZM-TR | |||
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Hersteller-Teilenummer | MIC4422ZM-TR | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Hersteller | Micrel / Microchip Technology | Beschreibung | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
Paket / Fall | 8-SOIC | Verfügbare Menge | 5434 pcs |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 18V | Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 20ns, 24ns |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 150°C (TJ) | Anzahl der Treiber | 1 |
Befestigungsart | Surface Mount | Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
Eingabetyp | Non-Inverting | Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
Angetriebene Konfiguration | Low-Side | Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 9A, 9A |
Ladestrom | Single | Grundproduktnummer | MIC4422 |
MIC4422ZM-TR Einzelheiten PDF [English] | MIC4422ZM-TR PDF - EN.pdf | ||
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MIC4422ZM-TR
Der MIC4422ZM-TR ist ein hocheffizienter, einkanaliger Low-Side-Gatedriver, der zur Ansteuerung von IGBT- und N-Kanal-MOSFET-Leistungstransistoren verwendet werden kann. Er verfügt über einen breiten Versorgungs spannungsbereich, einen hohen Spitzen Ausgangsstrom und schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten, was ihn für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungsanwendungen geeignet macht.
Tape & Reel (TR)-Verpackung
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) Gehäuse
Oberflächenmontagedesign
Geeignet für den Betrieb bei hohen Temperaturen von bis zu 150 °C
Hohe Effizienz und schnelle Schaltleistung
Kann eine Vielzahl von Leistungstransistoren, einschließlich IGBTs und N-Kanal-MOSFETs, ansteuern
Breiter Versorgungs spannungsbereich für vielseitige Anwendungen
Kompaktes und platzsparendes Oberflächenmontage-Gehäuse
Einkanaliger Low-Side-Gatedriver
Breiter Versorgungs spannungsbereich: 4,5 V bis 18 V
Hoher Spitzen Ausgangsstrom: 9 A Quelle, 9 A Senke
Schnelle Anstiegsund Abfallzeiten: 20 ns, 24 ns
Betriebstemperaturbereich: 0 °C bis 150 °C
Oberflächenmontage 8-SOIC-Gehäuse
Geeignet zur Ansteuerung von IGBTund N-Kanal-MOSFET-Leistungstransistoren
Effiziente und leistungsstarke Leistungsumwandlung
Vielseitig einsetzbar für ein breites Spektrum von Power Management-Anwendungen
Kompaktes und thermisch fähiges Oberflächenmontage-Gehäuse
Dieses Produkt ist derzeit aktiv und verfügbar
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