| RQ5E035ATTCL | |
|---|---|
| Artikelnummer | RQ5E035ATTCL |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 |
| Verfügbare Menge | 110000 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.RQ5E035ATTCL.pdf2.RQ5E035ATTCL.pdf3.RQ5E035ATTCL.pdf4.RQ5E035ATTCL.pdf5.RQ5E035ATTCL.pdf |
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| RQ5E035ATTCL Price |
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| Technische Information von RQ5E035ATTCL | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | RQ5E035ATTCL | Kategorie | |
| Hersteller | LAPIS Technology | Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 |
| Paket / Fall | TSMT3 | Verfügbare Menge | 110000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TSMT3 |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1W (Ta) | Verpackung / Gehäuse | SC-96 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RQ5E035 | RQ5E035ATTCL Einzelheiten PDF [English] | RQ5E035ATTCL PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
RQ5E035ATTCL
Einführung
LAPIS Semiconductor P-Kanal MOSFET
Marke und Hersteller
LAPIS Semiconductor
Merkmale
P-Kanal MOSFET, bleifrei und RoHS-konform, Oberflächenmontagetechnologie, hohe Leistungshaltekapazität
Produktleistung
Betriebstemperatur bis zu 150°C, kontinuierlicher Entlade-Trommelstrom von 3,5A, niedriger Drain-zu-Source-Widerstand
Technische Spezifikationen
Metall-Oxid-Halbleiter-Technologie, Drain-zu-Source-Spannung 30V, Drain-zu-Source-On-Widerstand 50 mOhm, Gate-Schwellen-Spannung 2,5V, Gate-Ladefähigkeit 10nC
Abmessungen, Form und Verpackung
SC-96 Gehäuse, TSMT3 Liefergerät-Paket, bereitgestellt in Digi-Reel Verpackung
Qualität und Zuverlässigkeit
Maximale Leistungshaltekapazität 1W, gebaut für hohe Temperaturleistung
Produktvorteile
Hohe Stromfähigkeit, Niederspannungsantrieb
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Konkurrenzfähig mit ähnlichen P-Kanal MOSFETs, hohes Leistungs-zu-Größe-Verhältnis
Kompatibilität
Kompatibel mit standardisierten SMT-Prozessen
Standardzertifizierung und Konformität
Konform zu RoHS-Vorgaben
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Verwendet in verschiedenen Leistungsmanagement-Schaltungen, geeignet für hocheffiziente Netzteile
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| RQ5E035ATTCL-Lager | RQ5E035ATTCL Preis | RQ5E035ATTCL-Elektronik | |||
| RQ5E035ATTCL-Komponenten | RQ5E035ATTCL Inventar | RQ5E035ATTCL Digikey | |||
| Lieferant RQ5E035ATTCL | RQ5E035ATTCL online bestellen | Anfrage RQ5E035ATTCL | |||
| RQ5E035ATTCL-Bild | RQ5E035ATTCL Bild | RQ5E035ATTCL PDF | |||
| RQ5E035ATTCL Datenblatt | RQ5E035ATTCL Datenblatt herunterladen | Hersteller LAPIS Technology | |||
| Zugehörige Teile für RQ5E035ATTCL | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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RQ5E030AJTCL | MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3 | Rohm Semiconductor | ||
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RQ5E040AJ TCL | RQ5E040AJ TCL ROHM | ROHM | ||
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RQ5E040RP | RQ5E040RP ROHM | ROHM | ||
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RQ5E030AJ | RQ5E030AJ ROHM | ROHM | ||
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RQ5E035XNTCL | MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3 | Rohm Semiconductor | ||
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RQ5E035AT | RQ5E035AT ROHM | ROHM | ||
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RQ5E025TNTL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 | Rohm Semiconductor | ||
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RQ5E035AT MOS | ROHM SOT-23 | ROHM | ||
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RQ5E025TN | RQ5E025TN ROHM | ROHM | ||
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RQ5E030RPTL | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 | Rohm Semiconductor | ||
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RQ5E035BNTCL MOSFETIGBTIC | ROHM TSMT3 | ROHM | ||
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