BSM400D12P2G003
Artikelnummer BSM400D12P2G003
Hersteller Rohm Semiconductor
Beschreibung SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Verfügbare Menge 4 pcs in stock
ECAD -Modell
Datenblätter
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Technische Information von BSM400D12P2G003
Hersteller-Teilenummer BSM400D12P2G003 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller LAPIS Technology Beschreibung SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Paket / Fall module Verfügbare Menge 4 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 85mA Technologie Silicon Carbide (SiC)
Supplier Device-Gehäuse Module Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - Leistung - max 2450W (Tc)
Verpackung / Gehäuse Module Paket Bulk
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 38000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400A (Tc)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) Grundproduktnummer BSM400
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