IS46TR16640BL-125JBLA2 | |
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Artikelnummer | IS46TR16640BL-125JBLA2 |
Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Beschreibung | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA |
Verfügbare Menge | 2528 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.IS46TR16640BL-125JBLA2.pdf2.IS46TR16640BL-125JBLA2.pdf |
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Technische Information von IS46TR16640BL-125JBLA2 | |||
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Hersteller-Teilenummer | IS46TR16640BL-125JBLA2 | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Hersteller | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | Beschreibung | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA |
Paket / Fall | 96-TWBGA (9x13) | Verfügbare Menge | 2528 pcs |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns | Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Technologie | SDRAM - DDR3L | Supplier Device-Gehäuse | 96-TWBGA (9x13) |
Serie | - | Verpackung / Gehäuse | 96-TFBGA |
Paket | Tray | Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 1Gbit | Speicherorganisation | 64M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 800 MHz | Grundproduktnummer | IS46TR16640 |
Zugriffszeit | 20 ns | IS46TR16640BL-125JBLA2 Einzelheiten PDF [English] | IS46TR16640BL-125JBLA2 PDF - EN.pdf |
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IS46TR16640BL-125JBLA2
DDR3L SDRAM Speichermodul, entwickelt für Hochgeschwindigkeitsdatenanwendungen.
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Niederspannungsstandard DDR3L SDRAM, 1Gbit Dichte, Hochgeschwindigkeitsdatenverarbeitung, 64M x 16 Speicherorganisation für effiziente Datenverwaltung.
Taktfrequenz von 800MHz für schnellen Datenzugriff, Schreibzykluszeit von 15ns für schnelle Schreiboperationen, Zugriffszeit von 20ns für zügige Datenabrufe.
SDRAM - DDR3L Technologie, flüchtiger Speichertyp, der eine temporäre Datenspeicherung anzeigt, parallele Speicherschnittstelle für die traditionelle Kommunikation mit dem Speichercontroller.
Oberflächenmontage 96-TFBGA Gehäuse, Abmessungen entsprechen dem 96-TWBGA (9x13) Standard.
Geeignet für extreme Temperaturbedingungen, Betrieb zwischen -40°C und 105°C.
Niederspannungsbetrieb (1,283V ~ 1,45V) zur Reduzierung des Energieverbrauchs, robuster Temperaturbereich, der die Zuverlässigkeit in variablen Umgebungen erhöht.
Obsolescence-Status, der Potenzial für Nischenanwendungen oder Wartung von veralteten Systemen anzeigt.
Kompatibel mit Systemen, die DDR3L SDRAM mit paralleler Schnittstelle benötigen.
Entspricht den branchenüblichen Standardspezifikationen für DDR3L SDRAM.
Für den langfristigen Einsatz unter herausfordernden Umweltbedingungen konzipiert.
Verwendet in verschiedenen Anwendungen, die schnellen flüchtigen Speicher erfordern, wie Computertechnik, Telekommunikation und industrielle Systeme, bevor es veraltet ist.