Produktmodell

HIP6602BCBZ

Einführung

Hochgeschwindigkeits-Synchron-N-Kanal-MOSFET-Gatetreiber-IC

Marke und Hersteller

Intersil

Merkmale

Synchroner Betrieb, Hochfrequenz-Treiberleistung, Nicht-invertierender Eingang, Vier Treiberkanäle, Bootstrap-Betrieb bis zu 15V, Oberflächenmontage 14-SOIC-Gehäuse, blei- und RoHS-konform

Produktleistung

Schnelle Anstiegs- und Fallzeiten von typischerweise 20ns, Unterstützt einen Versorgungsspannungsbereich von 10,8V bis 13,2V, Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 125°C

Technische Spezifikationen

Kanalkonfiguration: Synchron, Antriebskonfiguration: Halbbrücke, Anzahl der Treiber: 4, Gate-Typ: N-Kanal-MOSFET

Abmessungen, Form und Verpackung

14-SOIC (0,154", 3,90mm Breite), Verpackung in Tube, Liefergerätepaket: 14-SOIC

Qualität und Zuverlässigkeit

Built to Intersil's high-quality standards for IC performance

Produktvorteile

Ermöglicht effizientes Schalten für Anwendungen zur Energieumwandlung, Geeignet für komplexes Energiemanagement

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hohe Integration für Mehrkanal-MOSFET-Ansteuerung, Wettbewerbsfähige Leistung in seiner Klasse

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-N-Kanal-MOSFETs, Entworfen für die Oberflächenmontagetechnologie (SMT)

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform, Bleifreie Konstruktion für Umweltschutz

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Hohe thermische Leistung für eine lange Lebensdauer, Robuste Bauweise für anhaltenden Gebrauch

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Stromversorgungsmodule, DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen, Rechen- und Telekommunikationssysteme

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