IAUC120N04S6L005ATMA1 | |
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Artikelnummer | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Beschreibung | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
Verfügbare Menge | 5050 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
IAUC120N04S6L005ATMA1 Price |
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Technische Information von IAUC120N04S6L005ATMA1 | |||
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Hersteller-Teilenummer | IAUC120N04S6L005ATMA1 | Kategorie | |
Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
Paket / Fall | PG-TDSON-8-53 | Verfügbare Menge | 5050 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA | Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-53 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.55mOhm @ 60A, 10V |
Verlustleistung (max) | 187W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11203 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tj) |
Grundproduktnummer | IAUC120 |
IAUC120N04S6L005ATMA1
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für Spannungsregulierung und Schaltvorgänge entwickelt wurde.
International Rectifier (Infineon Technologies)
N-Kanal-MOSFET, ideal für eine hocheffiziente Spannungsregulierung. Unterstützt die Oberflächenmontagetechnologie für eine kompakte Montage. Verbesserte thermische Management mit PowerTDFN 8-Gehäuse. Robust gegenüber wiederholten Lawinenereignissen.
Kann kontinuierliche Abflussströme von bis zu 120A bei 25°C bewältigen. Arbeitet effizient innerhalb eines Temperaturbereichs von -55°C bis 175°C. Niedriger Einschaltwiderstand von 0,55mOhm bei 60A und 10V, minimiert Energieverluste. Hohe Gatetransport-Kapazität und Eingangs-Kapazität erleichtern schnelles Schalten.
Drain-to-Source-Spannung (Vdss): 40V. Kontinuierlicher Abflussstrom (Id): 120A. Einschaltwiderstand (Rds On): 0,55mOhm. Gate-Schwellen-Spannung (Vgs(th)): 2V. Gate-Ladung (Qg): 177 nC. Eingangskapazität (Ciss): 11203 pF. Ansteuerspannung: 4,5V bis 10V. Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs Max): ±16V.
8-PowerTDFN-Gehäuse. Kompakte Oberflächenmontageform (PG-TDSON-8-53).
Entwickelt, um rauen Umgebungen und hohen thermischen Anforderungen standzuhalten. Für langfristige Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen konzipiert.
Hohe Stromkapazität und geringe Wärmeentwicklung. Optimiert für hocheffiziente Leistungsanwendungen.
Wettbewerbsfähig auf Märkten, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in der Spannungsregulierung erfordern.
Kompatibel mit verschiedenen Hochleistungs-Schaltkreisen zur Spannungsregulierung.
Entspricht den Branchenstandards für Leistung und Sicherheit.
Entwickelt für Langlebigkeit und lange Lebensdauer unter strengen Bedingungen.
Geeignet für Stromversorgungen, DC-DC-Wandler, Motorantriebe und andere Hochleistungsanwendungen.
IAUC120N04S6L005ATMA1-Lager | IAUC120N04S6L005ATMA1 Preis | IAUC120N04S6L005ATMA1-Elektronik |
IAUC120N04S6L005ATMA1-Komponenten | IAUC120N04S6L005ATMA1 Inventar | IAUC120N04S6L005ATMA1 Digikey |
Lieferant IAUC120N04S6L005ATMA1 | IAUC120N04S6L005ATMA1 online bestellen | Anfrage IAUC120N04S6L005ATMA1 |
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