IAUC120N04S6L005ATMA1
Artikelnummer IAUC120N04S6L005ATMA1
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung IAUC120N04S6L005ATMA1
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ECAD -Modell
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Hersteller-Teilenummer IAUC120N04S6L005ATMA1 Kategorie  
Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Beschreibung IAUC120N04S6L005ATMA1
Paket / Fall PG-TDSON-8-53 Verfügbare Menge 5050 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA Vgs (Max) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-53
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.55mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max) 187W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11203 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tj)
Grundproduktnummer IAUC120  

Produktmodell

IAUC120N04S6L005ATMA1

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für Spannungsregulierung und Schaltvorgänge entwickelt wurde.

Marke und Hersteller

International Rectifier (Infineon Technologies)

Merkmale

N-Kanal-MOSFET, ideal für eine hocheffiziente Spannungsregulierung. Unterstützt die Oberflächenmontagetechnologie für eine kompakte Montage. Verbesserte thermische Management mit PowerTDFN 8-Gehäuse. Robust gegenüber wiederholten Lawinenereignissen.

Produktleistung

Kann kontinuierliche Abflussströme von bis zu 120A bei 25°C bewältigen. Arbeitet effizient innerhalb eines Temperaturbereichs von -55°C bis 175°C. Niedriger Einschaltwiderstand von 0,55mOhm bei 60A und 10V, minimiert Energieverluste. Hohe Gatetransport-Kapazität und Eingangs-Kapazität erleichtern schnelles Schalten.

Technische Spezifikationen

Drain-to-Source-Spannung (Vdss): 40V. Kontinuierlicher Abflussstrom (Id): 120A. Einschaltwiderstand (Rds On): 0,55mOhm. Gate-Schwellen-Spannung (Vgs(th)): 2V. Gate-Ladung (Qg): 177 nC. Eingangskapazität (Ciss): 11203 pF. Ansteuerspannung: 4,5V bis 10V. Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs Max): ±16V.

Abmessungen, Form und Verpackung

8-PowerTDFN-Gehäuse. Kompakte Oberflächenmontageform (PG-TDSON-8-53).

Qualität und Zuverlässigkeit

Entwickelt, um rauen Umgebungen und hohen thermischen Anforderungen standzuhalten. Für langfristige Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen konzipiert.

Produktvorteile

Hohe Stromkapazität und geringe Wärmeentwicklung. Optimiert für hocheffiziente Leistungsanwendungen.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig auf Märkten, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in der Spannungsregulierung erfordern.

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Hochleistungs-Schaltkreisen zur Spannungsregulierung.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den Branchenstandards für Leistung und Sicherheit.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für Langlebigkeit und lange Lebensdauer unter strengen Bedingungen.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Geeignet für Stromversorgungen, DC-DC-Wandler, Motorantriebe und andere Hochleistungsanwendungen.

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