| SPN03N60C3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SPN03N60C3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4 |
| Verfügbare Menge | 12620 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SPN03N60C3.pdf2.SPN03N60C3.pdf |
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| SPN03N60C3 Price |
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| Technische Information von SPN03N60C3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SPN03N60C3 | Kategorie | |
| Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4 |
| Paket / Fall | PG-SOT223-4 | Verfügbare Menge | 12620 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4 |
| Serie | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta) | Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 700mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | SPN03N | SPN03N60C3 Einzelheiten PDF [English] | SPN03N60C3 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
SPN03N60C3
Einführung
Hochvolt LeistungsmOSFET für elektronische Schaltungen
Marke und Hersteller
International Rectifier (Infineon Technologies)
Merkmale
N-Kanal CoolMOS-Technologie, hohe Sperrspannungskapazität, niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schaltverhalten
Produktleistung
Maximale Verlustleistung von 1,8 W bei Umgebungstemperatur; Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Technische Spezifikationen
SMD MOSFET, Metalloxid-Halbleiter; Drain-zu-Source-Spannung (Vdss) von 650 V; kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 700 mA bei 25 °C; Rds On von 1,4 Ohm bei 2A, 10V; Gate-Schwellen-Spannung (Vgs(th)) maximal 3,9 V bei 135 A; Gate-Ladung (Qg) maximal 17 nC bei 10 V; Eingangskapazität (Ciss) von 400 pF bei 25 V
Abmessungen, Form und Verpackung
TO-261-4, TO-261AA Gehäuse; PG-SOT223-4 Gerätepaket; Tape & Reel (TR) für die Verpackung des Herstellers
Qualität und Zuverlässigkeit
Robuste Konstruktion für langfristige Leistung; geeignet für industrielle Anwendungen
Produktvorteile
Hohe Effizienz aufgrund geringen Verlustes; kompatibel mit bestehenden SMD-Prozessen
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähige Preise für Leistungsmanagement-Anwendungen; solide Leistung in seiner Spannungs- und Stromklasse
Kompatibilität
Geeignet für Hochvolt-Anwendungen auf verschiedenen Plattformen
Standardzertifizierung und Konformität
Nicht RoHS-konform aufgrund von Bleigehalt
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Haltbare Konstruktion für verlängerte Lebensdauer in rauen Umgebungen
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Stromversorgungen, Beleuchtungsanwendungen, Motorsteuerungssysteme, Wechselrichter und Wandler
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| SPN03N60C3-Lager | SPN03N60C3 Preis | SPN03N60C3-Elektronik | |||
| SPN03N60C3-Komponenten | SPN03N60C3 Inventar | SPN03N60C3 Digikey | |||
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| SPN03N60C3-Bild | SPN03N60C3 Bild | SPN03N60C3 PDF | |||
| SPN03N60C3 Datenblatt | SPN03N60C3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Zugehörige Teile für SPN03N60C3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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