| IRFR6215TRRPBF-IR | |
|---|---|
| Artikelnummer | IRFR6215TRRPBF-IR |
| Hersteller | International Rectifier |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK |
| Verfügbare Menge | Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
| IRFR6215TRRPBF-IR Price |
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| Technische Information von IRFR6215TRRPBF-IR | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IRFR6215TRRPBF-IR | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK |
| Paket / Fall | TO-252AA | Verfügbare Menge | Available Stock |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 6.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
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| IRFR6215TRRPBF-IR-Lager | IRFR6215TRRPBF-IR Preis | IRFR6215TRRPBF-IR-Elektronik | |||
| IRFR6215TRRPBF-IR-Komponenten | IRFR6215TRRPBF-IR Inventar | IRFR6215TRRPBF-IR Digikey | |||
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| IRFR6215TRRPBF-IR-Bild | IRFR6215TRRPBF-IR Bild | IRFR6215TRRPBF-IR PDF | |||
| IRFR6215TRRPBF-IR Datenblatt | IRFR6215TRRPBF-IR Datenblatt herunterladen | Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Zugehörige Teile für IRFR6215TRRPBF-IR | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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IRFR6215TRPBF | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK | Infineon Technologies | ||
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IRFR6215TRL | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK | Infineon Technologies | ||
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IRFR6215TRPBF MOS | INFINEON TO-252 | INFINEON | ||
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