| IRF6717MTRPBF | |
|---|---|
| Artikelnummer | IRF6717MTRPBF |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET |
| Verfügbare Menge | 91478 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.IRF6717MTRPBF.pdf2.IRF6717MTRPBF.pdf3.IRF6717MTRPBF.pdf4.IRF6717MTRPBF.pdf5.IRF6717MTRPBF.pdf6.IRF6717MTRPBF.pdf7.IRF6717MTRPBF.pdf |
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| Technische Information von IRF6717MTRPBF | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IRF6717MTRPBF | Kategorie | |
| Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET |
| Paket / Fall | DIRECTFET™ MX | Verfügbare Menge | 91478 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ MX |
| Serie | HEXFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25mOhm @ 38A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 96W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric MX |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6750 pF @ 13 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 4.5 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 38A (Ta), 200A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF6717 | IRF6717MTRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6717MTRPBF PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
IRF6717MTRPBF
Einführung
Hocheffizienter N-Kanal Leistungs-MOSFET
Marke und Hersteller
International Rectifier (Infineon Technologies)
Merkmale
HEXFET Leistungs-MOSFET-Technologie, DIRECTFET MX Verpackung für verbesserte thermische Widerstandsfähigkeit, niedriger Einschaltwiderstand, hohe Stromtragfähigkeit
Produktleistung
Ausgezeichnetes thermisches Management, hohe Effizienz bei hohen Schaltfrequenzen, robust gegen häufige Leistungszyklen
Technische Spezifikationen
Blei-frei und RoHS-konform, N-Kanal MOSFET-Typ, maximaler Drain-Source-Spannungswert von 25V
Abmessungen, Form und Verpackung
Oberflächenmontierter DirectFET isometrisch MX, verpackt in Tape & Reel für automatisierte Montage
Qualität und Zuverlässigkeit
Hochwertige Qualitätskontrolle, bewährte Haltbarkeit und Leistung
Produktvorteile
Niedrige Leistungsdissipation und Verluste, kompakte Bauform für dichte PCB-Layouts
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig in der Leistungsumwandlungsanwendung, hohes Leistungs-Kosten-Verhältnis
Kompatibilität
Geeignet für Hochleistungsdesigns, kompatibel mit automatisierten Oberflächenmontageprozessen
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den Industriestandards für Blei-frei und RoHS-Konformität
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Entwickelt für eine lange Lebensdauer, trägt zu energieeffizienten Endprodukten bei
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Stromversorgungsgeräte, DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen, hocheffiziente Energiemanagementsysteme
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| IRF6717MTRPBF-Lager | IRF6717MTRPBF Preis | IRF6717MTRPBF-Elektronik | |||
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| Lieferant IRF6717MTRPBF | IRF6717MTRPBF online bestellen | Anfrage IRF6717MTRPBF | |||
| IRF6717MTRPBF-Bild | IRF6717MTRPBF Bild | IRF6717MTRPBF PDF | |||
| IRF6717MTRPBF Datenblatt | IRF6717MTRPBF Datenblatt herunterladen | Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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