IR2233SPBF
Artikelnummer IR2233SPBF
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
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Technische Information von IR2233SPBF
Hersteller-Teilenummer IR2233SPBF Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Paket / Fall 28-SOIC Verfügbare Menge 3193 pcs
Spannungsversorgung 10V ~ 20V Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC
Serie - Aufstieg / Fallzeit (Typ) 90ns, 40ns
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Paket Tube
Betriebstemperatur 125°C (TJ) Anzahl der Treiber 6
Befestigungsart Surface Mount Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V
Eingabetyp Inverting High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 1200 V
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Angetriebene Konfiguration Half-Bridge
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA Ladestrom 3-Phase
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Produktmodell

IR2233SPBF

Einführung

3-Phasen Gate-Treiber-IC für IGBTs und N-Kanal-MOSFETs

Marke und Hersteller

Infineon Technologies

Merkmale

Drei Halbbrückentreiber, Integrierte Bootstrap-Funktion, Unter-Spannungs-Sperre für alle Kanäle, Logik zur Verhinderung von Kreuzschaltungen, Abgestimmte Verzögerungszeit für alle Kanäle

Produktleistung

Robuste Ausgangstreiber mit hoher Stromfähigkeit, Effiziente Betriebsweise mit minimaler Totzeit

Technische Spezifikationen

Sechs Treiberkanäle für 3-Phasen-Konfiguration, Gate-Treiberspannungsbereich: 10V bis 20V

Abmessungen, Form und Verpackung

28-SOIC-Paket, Röhrenverpackung, Breite: 7,50 mm

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Spannungsfähigkeit bis 1200V für das Bootstrap-Kreis

Produktvorteile

Ermöglicht kompakte und effiziente Designs für Leistungsanwendungen

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Optimiert zum Ansteuern von Leistung IGBTs und MOSFETs in 3-Phasen-Systemen

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen IGBT- und N-Kanal-MOSFET-Modellen

Standardzertifizierung und Konformität

Nach Industriestandards für Gate-Treiber hergestellt

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer geeignet für anhaltende Nutzung in der Leistungselektronik

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Industrielle Motortreiber, USV-Systeme, Inverter-Anwendungen, Erneuerbare Energiesysteme

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