| IPP60R380C6 | |
|---|---|
| Artikelnummer | IPP60R380C6 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Beschreibung | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Verfügbare Menge | 5120 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| IPP60R380C6 Price |
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| Technische Information von IPP60R380C6 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IPP60R380C6 | Kategorie | |
| Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Paket / Fall | PG-TO220-3-1 | Verfügbare Menge | 5120 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
| Serie | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 83W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Bulk | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.6A (Tc) |
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Produktmodell
IPP60R380C6
Einführung
Hochvolt-Power-MOSFET aus der CoolMOS-Serie, entwickelt für Schaltanwendungen.
Marke und Hersteller
International Rectifier (Infineon Technologies)
Merkmale
N-Kanal-Verstärkungsmodus; Hohe Energieeffizienz durch niedrige Leistungsverluste; Geringer thermischer Widerstand; Schnelle Schaltleistung; Robuste Silikonkonstruktion für Stabilität und Langlebigkeit.
Produktleistung
Stabiler Betrieb in einem erweiterten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C; Ausgezeichnetes thermisches Verhalten für höhere Zuverlässigkeit unter Last.
Technische Spezifikationen
Bleifrei und RoHS-konform; Technologie: Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET).
Abmessungen, Form und Verpackung
Durchsteckgehäuse-Typ: TO-220-3; In Röhrenformat geliefert für einfache Handhabung und Lagerung; Standardverpackung des Herstellers: PG-TO-220-3.
Qualität und Zuverlässigkeit
Verfügt über robuste Anschlussverbindungen; Entwickelt für langfristige Stabilität und Zuverlässigkeit.
Produktvorteile
Hohe Spannungsfähigkeit von 600 V; Niedrige Gate-Ladung und Kapazität, die die Schaltgeschwindigkeit erhöhen; Verminderte Leitungsverluste aufgrund von niedrigem Rds(on).
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Stellt ein Gleichgewicht zwischen Effizienz und Kosteneffektivität in Leistungsanwendungen dar; Geeignet für wettbewerbsintensive Märkte, die hohe Energieeffizienz erfordern.
Kompatibilität
Durchsteckmontage-Typ kompatibel mit breitem Spektrum von Leiterplatten; Antriebsspannungsspezifikationen erleichtern die Verwendung mit Standard-Gate-Treibern.
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den Branchenstandards für Umwelt- und Sicherheitsanforderungen (RoHS).
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Erweiterte Betriebslebensdauer aufgrund thermischer und elektrischer Designoptimierungen; Trägt zu energieeffizienten Designs bei, die die Umweltauswirkungen reduzieren.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Geeignet für Netzteile, Wechselrichter und Umrichter; Weit verbreitet in der Unterhaltungselektronik, im Automobilbereich und in industriellen Stromsystemen.
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| IPP60R380C6-Lager | IPP60R380C6 Preis | IPP60R380C6-Elektronik | |||
| IPP60R380C6-Komponenten | IPP60R380C6 Inventar | IPP60R380C6 Digikey | |||
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| IPP60R380C6-Bild | IPP60R380C6 Bild | IPP60R380C6 PDF | |||
| IPP60R380C6 Datenblatt | IPP60R380C6 Datenblatt herunterladen | Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Zugehörige Teile für IPP60R380C6 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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IPP60R380E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R385CP | MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R299CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R380C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R360CFD7 | INFINEON | |||
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IPP60R380P6 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Infineon Technologies | ||
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IPP60R385CP/6R385P MOS | INFINEON TO-220 | INFINEON | ||
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IPP60R330P6XKSA1 | IPP60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN | Infineon Technologies | ||
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IPP60R360CFD7XKSA1 | IPP60R360CFD7 - 600V COOLMOS N-C | International Rectifier | ||
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IPP60R385CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R385CP/6R385P | INFINEON TO-220 | INFINEON | ||
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IPP60R299CP HF | INFINEON TO-220 | INFINEON | ||
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IPP60R360P7 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R299CP | IPP60R299CP inf | inf | ||
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IPP60R360P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R280P7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R299CP/6R299P | INFINEON TO-220 | INFINEON | ||
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IPP60R380E6 6R380E6 | IPP60R380E6 6R380E6 INFINEO | INFINEO | ||
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IPP60R380P6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
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IPP60R380E6 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
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