| IPB120P04P404ATMA1 | |
|---|---|
| Artikelnummer | IPB120P04P404ATMA1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK |
| Verfügbare Menge | 6000 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.IPB120P04P404ATMA1.pdf2.IPB120P04P404ATMA1.pdf3.IPB120P04P404ATMA1.pdf4.IPB120P04P404ATMA1.pdf |
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| Technische Information von IPB120P04P404ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IPB120P04P404ATMA1 | Kategorie | |
| Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK |
| Paket / Fall | PG-TO263-3 | Verfügbare Menge | 6000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 340µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 136W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14790 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 205 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB120 | IPB120P04P404ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB120P04P404ATMA1 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
IPB120P04P404ATMA1
Einführung
P-Kanal MOSFET, der für Automobilanwendungen konzipiert ist.
Marke und Hersteller
International Rectifier, Infineon Technologies
Merkmale
P-Kanal MOSFET, verbesserte Leistungsfähigkeit, optimiert für Automobilanwendungen, hohe Stromtragfähigkeit.
Produktleistung
Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C, kann bis zu 120A kontinuierliche Entladeleistung handhaben, niedriger Einschaltwiderstand von 3,5 mOhm bei 100A und 10V, hohe Leistungsabfuhr von 136W.
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Kontinuierlicher Drainstrom (Id) @ 25°C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3,5 mOhm, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340μA, Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC, Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14790pF.
Abmessungen, Form und Verpackung
TO-263-3, DPak Verpackung, Oberflächenmontage, verpackt in Tape & Reel (TR) für automatisierte Montage.
Qualität und Zuverlässigkeit
AEC-Q101-zertifiziert für automotive Zuverlässigkeit.
Produktvorteile
Hohe Effizienz mit niedrigem Energieverlust, robuste thermische Managementfähigkeiten.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Für strenge Anforderungen der Automobilindustrie entwickelt, konkurriert effektiv mit anderen Hochleistungs-MOSFETs auf dem Markt.
Kompatibilität
Kompatibel mit standardisierten Oberflächenmontageprozessen.
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den AEC-Q101 Standards, konform mit internationalen Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Für langfristige Zuverlässigkeit unter rauen Automobilbedingungen konzipiert.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Verwendet in Automobil-Leistungsmanagementsystemen, geeignet für Hochleistungsumschaltanwendungen.
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| IPB120P04P404ATMA1-Lager | IPB120P04P404ATMA1 Preis | IPB120P04P404ATMA1-Elektronik | |||
| IPB120P04P404ATMA1-Komponenten | IPB120P04P404ATMA1 Inventar | IPB120P04P404ATMA1 Digikey | |||
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