| IPB048N15N5ATMA1 | |
|---|---|
| Artikelnummer | IPB048N15N5ATMA1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| Verfügbare Menge | 3054 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.IPB048N15N5ATMA1.pdf2.IPB048N15N5ATMA1.pdf3.IPB048N15N5ATMA1.pdf |
| Herunterladen | IPB048N15N5ATMA1 Einzelheiten PDF |
| IPB048N15N5ATMA1 Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische Information von IPB048N15N5ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IPB048N15N5ATMA1 | Kategorie | |
| Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| Paket / Fall | PG-TO263-3-2 | Verfügbare Menge | 3054 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.6V @ 264µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 60A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 75 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB048 | IPB048N15N5ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB048N15N5ATMA1 PDF - EN.pdf |
| Herunterladen | IPB048N15N5ATMA1 Einzelheiten PDF | ||
Produktmodell
IPB048N15N5ATMA1
Einführung
N-Kanal-MOSFET für hocheffiziente Leistungsumwandlung
Marke und Hersteller
International Rectifier (Infineon Technologies)
Merkmale
Niedriger Einschaltwiderstand, hohe Schaltgeschwindigkeit, geringe Gate-Ladung, optimiert für leistungsstarke Leistungsumwandlung
Produktleistung
Ausgezeichnete thermische Leistung, robust gegen harte Schaltvorgänge, stabile Funktion unter hohen Überlastbedingungen
Technische Spezifikationen
Typ: N-Kanal, Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Dauerstrom (Id): 100A, Gate-Source-Spannung (Vgs): ±20V, Gesamt-Gate-Ladung (Qg): 135nC
Abmessungen, Form und Verpackung
Quadratisches Gehäuse, bleifrei, geliefert in Standard-Band und Rolle für automatische Einfügung
Qualität und Zuverlässigkeit
Hochzuverlässig unter extremen Bedingungen, getestet auf Langzeitstabilität, entspricht strengen branchenspezifischen Qualitätsstandards
Produktvorteile
Hohe Effizienz führt zu reduziertem Energieverbrauch, einfach zu steuern und zu kontrollieren
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähiges Preis-Leistungs-Verhältnis, fortschrittliche Technologie von führendem Halbleiterhersteller
Kompatibilität
Kompatibel mit Standard-Schaltanwendungen und Treiber-Schaltungen
Standardzertifizierung und Konformität
Bleifrei, RoHS-konform
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Lange Betriebslebensdauer unter empfohlenen Bedingungen, umweltfreundlich mit bleifreien Komponenten
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Stromversorgungsanlagen, DC-DC-Wandler, Motorantriebe, Wechselrichter, Anwendungen in der Automobilindustrie
Mailen Sie uns: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ IPB048N15N5ATMA1 Online.
| IPB048N15N5ATMA1-Lager | IPB048N15N5ATMA1 Preis | IPB048N15N5ATMA1-Elektronik | |||
| IPB048N15N5ATMA1-Komponenten | IPB048N15N5ATMA1 Inventar | IPB048N15N5ATMA1 Digikey | |||
| Lieferant IPB048N15N5ATMA1 | IPB048N15N5ATMA1 online bestellen | Anfrage IPB048N15N5ATMA1 | |||
| IPB048N15N5ATMA1-Bild | IPB048N15N5ATMA1 Bild | IPB048N15N5ATMA1 PDF | |||
| IPB048N15N5ATMA1 Datenblatt | IPB048N15N5ATMA1 Datenblatt herunterladen | Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Zugehörige Teile für IPB048N15N5ATMA1 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
 |
IPB043N10NF2SATMA1 | AUTOMOTIVE MOSFET | Infineon Technologies | ||
|
IPB048N15N5 | INFINEON | |||
|
IPB049N08N5 | INFINEON TO263-2 | INFINEON | ||
 |
IPB048N06L G | IPB048N06L G VB | VB | ||
|
IPB049N06L3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
|
IPB049N06L3 G | IPB049N06L3 G VB | VB | ||
 |
IPB049N06L3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | Infineon Technologies | ||
 |
IPB044N15N5ATMA1 | MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 | Infineon Technologies | ||
|
IPB048N06L | INFINEON | |||
|
IPB049N06L3 | INFINEON | |||
|
IPB048N15N5LFATMA1 | MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IPB049N08N5 MOS | INFINEON TO-263 | INFINEON | ||
 |
IPB049N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IPB048N06LGATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IPB044N15N5 | Infineon TO263-7 | Infineon | ||
|
IPB042N10NF2SATMA1 | TRENCH >=100V | Infineon Technologies | ||
|
IPB048N15N5LF | INFINEON 2018+RoHS | INFINEON | ||
|
IPB044N15N5ATMA1 044N15N5 | INFINEON TO-263 | INFINEON | ||
|
IPB048N06LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
|
IPB048N15N5ATMA1 IC | IR TO-263 | IR | ||
Nachrichten
Mehr
Der PolarRire® Soc FPGA von Microchip hat eine AEC -Q100 -Zertifizierung erhalten und die Zuverlässigkeit unter harten Automobilbedingungen bestäti...
Das PSOCTM 4000T ist das erste Produkt von Infineon, das die CapSense ™ -Technologie der fünften Generation und die Multi-Sense-Funktionalität des ...
Ein Automobil -Manager für Autoteile ergab, dass die EV -Entwicklung auf dem nordamerikanischen Markt ins Stocken geraten ist, da die Autohersteller ...
Infineon und Estron erweitern ihre Zusammenarbeit mit der Zusammenarbeit zwischen AI Battery Management System (BMS) in Industrie- und Unterhaltungsel...
Auf Semiconductor kündigte kürzlich den Start des ITOF-Sensors in Echtzeit, die Hyperlux-ID-Serie, die eine hochpräzise Langstreckenmessung und die...
Neue Produkte
Mehr
PD30 Serie Photoelektrischer Sensor Die Miniatur-Lichtschranken von Carlo Gavazzi sind leistungsstar...
XC112 / XR112 Evaluierungskit für das gepulste kohärente Radar A111Acconeers XC112 und XR112 Evaluierungskit mit flachen flexiblen Kabeln und Unters...
MINAS A6-Serie Servoantriebe und Motoren Panasonics MINAS A6-Familie gewährleistet einen stabilen B...
UV-LED-Treiberplatine RayVios UV-LED-Treiberplatine für XE- und XP1-UV-C-Emitter RayVios ultravio...
Industrieller und erweiterter Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-Bausteine garantieren den Betri...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright-Hinweis © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle Rechte vorbehalten.