BSS225L6327HTSA1 | |
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Artikelnummer | BSS225L6327HTSA1 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 |
Verfügbare Menge | 8010 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.BSS225L6327HTSA1.pdf2.BSS225L6327HTSA1.pdf |
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Technische Information von BSS225L6327HTSA1 | |||
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Hersteller-Teilenummer | BSS225L6327HTSA1 | Kategorie | |
Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 |
Paket / Fall | PG-SOT89 | Verfügbare Menge | 8010 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT89 |
Serie | SIPMOS® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 90mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) | Verpackung / Gehäuse | TO-243AA |
Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 131 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 90mA (Ta) |
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BSS225L6327HTSA1
Klein-signale N-Kanal MOSFET
Infineon Technologies, ehemals International Rectifier
Hohe Durchbruchsspannung, geringe Einschaltwiderstand, schnelle Schaltfähigkeit, verbesserte Leistungsdichte
Stabile Betriebsweise bis zu 150°C, effiziente Leistungsumwandlung, niedriger thermischer Widerstand
MOSFET-Technologie, 600V Drain-Source-Spannung, 90mA kontinuierlicher Drainstrom
TO-243AA Gehäuse, PG-SOT89 Liefergerätepaket, Tape & Reel Verpackung für automatisierte Montage
Bleifrei und RoHS-konform, hohe Robustheit und Zuverlässigkeit
Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Energieeinsparung durch reduzierte Verluste
Optimiert für Leistungsmanagementanwendungen, wettbewerbsfähige Leistungskapazitäten für Wärmeableitung
Oberflächenmontage kompatibel mit Standard-SMT-Prozessen
RoHS-konform, gewährleistet Umweltschutz
Für langanhaltende Zuverlässigkeit entwickelt, trägt zu energieeffizienten Endprodukten bei
Stromversorgungen, Motorsteuerungssysteme, Wechselstromkreise, Energiemanagement
BSS225L6327HTSA1-Lager | BSS225L6327HTSA1 Preis | BSS225L6327HTSA1-Elektronik | |||
BSS225L6327HTSA1-Komponenten | BSS225L6327HTSA1 Inventar | BSS225L6327HTSA1 Digikey | |||
Lieferant BSS225L6327HTSA1 | BSS225L6327HTSA1 online bestellen | Anfrage BSS225L6327HTSA1 | |||
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BSS225L6327HTSA1 Datenblatt | BSS225L6327HTSA1 Datenblatt herunterladen | Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Zugehörige Teile für BSS225L6327HTSA1 | |||||
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Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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BSS223PWL6327 MOS | INFINEON SOT-323 | INFINEON | ||
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BSS225 H6327 code KD | INFINEON SOT-89 | INFINEON | ||
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BSS225H6327FTSA1 | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | Infineon Technologies | ||
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BSS284 H6327 | INFINEON SOT-23 | INFINEON | ||
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BSS284 | SIE | |||
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BSS225H6327XTSA1 | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | Infineon Technologies | ||
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BSS284E6327 | SOT-23 | |||
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BSS306N H6327 | BSS306N H6327 Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
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BSS225 | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | Infineon Technologies | ||
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BSS284H6327 | INFINEON SOT-23 | INFINEON | ||
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BSS223PWL6327 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | Infineon Technologies | ||
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BSS306N MOS | VBSEMI SOT-23 | VBSEMI | ||
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