Produktmodell

BSC109N10NS3 G

Einführung

MOSFET-Transistor, der für eine effiziente Leistungsumwandlung entwickelt wurde

Marke und Hersteller

International Rectifier (Infineon Technologies)

Merkmale

Niedriger Einschaltwiderstand, schnelle Schaltgeschwindigkeit, hohe Energieeffizienz, optimiert für synchrone Gleichrichtung, thermisch verbesserte Bauform

Produktleistung

Hohe Stromtragfähigkeit, ausgezeichnete thermische Leistung, reduzierter Leistungsverlust in Umwandlungsschaltungen, stabiler Betrieb bei hohen Frequenzen

Technische Spezifikationen

VDS (Drain-Source-Spannung) - 100V, RDS(on) (Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand) - 10,2mΩ, ID (Kontinuierlicher Drainstrom) - 80A, Qg (Totale Gate-Ladung) - typischerweise 13 nC

Abmessungen, Form und Verpackung

Oberflächenmontagegehäuse, kompakte Bauform, geliefert in Tape und Reel für eine automatisierte Montage

Qualität und Zuverlässigkeit

Entspricht den Qualitätsstandards der Branche, umfangreiche Tests auf Haltbarkeit, lange Betriebslebensdauer

Produktvorteile

Erhöhte Effizienz für Netzteil-Designs, niedriger Energieverbrauch, platzsparend durch kleine Stellfläche

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Überlegene Leistung in Anwendungen der Leistungsregelung, Wettbewerb mit anderen hocheffizienten MOSFETs

Kompatibilität

Kompatibel mit Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, integrierbar mit Standard-SMD-Montageprozessen

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform, erfüllt die branchenspezifischen Standardspezifikationen für spezialisierte ICs

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für eine lange Lebensdauer unter typischen Arbeitsbedingungen konzipiert, trägt zu energiesparenden Anwendungen dank hoher Effizienz bei

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Schaltnetzteile (SMPS), DC-DC-Wandler, Batteriesystemmanagement, Computer-Server- und Telekom-Power-Systeme, Motorsteuerungen und Wechselrichter

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