CY7C1312BV18-250BZC
Artikelnummer CY7C1312BV18-250BZC
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
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Technische Information von CY7C1312BV18-250BZC
Hersteller-Teilenummer CY7C1312BV18-250BZC Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Cypress Semiconductor Beschreibung IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Paket / Fall 165-FBGA (13x15) Verfügbare Menge 2810 pcs
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Supplier Device-Gehäuse 165-FBGA (13x15)
Serie - Verpackung / Gehäuse 165-LBGA
Paket Tray Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount Speichertyp Volatile
Speichergröße 18Mbit Speicherorganisation 1M x 18
Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat SRAM
Uhrfrequenz 250 MHz Grundproduktnummer CY7C1312
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Produktmodell

CY7C1312BV18-250BZC

Einführung

Synchroner SRAM-Speicherchip

Marke und Hersteller

Infineon Technologies

Merkmale

Flüchtiger Speicher, Synchrones QDR II SRAM-Technologie, Unterstützung hoher Taktfrequenzen

Produktleistung

Speichergröße 18 Mbit, Speicherorganisation 1M x 18, Parallele Speicheranbindung, Höchstfrequenz bis zu 250 MHz

Technische Spezifikationen

SRAM - Synchron, QDR II, Speicherinterface - Paralleles Interface

Abmessungen, Form und Verpackung

Aufsteckmontage 165-LBGA, Liefergerätepaket 165-FBGA (13x15)

Qualität und Zuverlässigkeit

Für Hochgeschwindigkeitsoperationen ausgelegt, Stabil im Betriebstemperaturbereich 0°C bis 70°C (TA)

Produktvorteile

Schnelle Zugriffszeiten, Niedrige Latenz

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Zielgruppe sind Hochgeschwindigkeitsanwendungen

Kompatibilität

Paralleles Interface kompatibel mit verschiedenen Logikpegeln

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt Standardindustrienormen für SRAM

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Betriebsfähigkeit unter angegebenen Bedingungen ausgelegt

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Verwendung in Hochleistungsrechnern und Netzwerksystemen

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