| CY7C106B-20VC | |
|---|---|
| Artikelnummer | CY7C106B-20VC |
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Beschreibung | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ |
| Verfügbare Menge | 8147 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
| Herunterladen | CY7C106B-20VC Einzelheiten PDF |
| CY7C106B-20VC Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische Information von CY7C106B-20VC | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | CY7C106B-20VC | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Hersteller | Cypress Semiconductor | Beschreibung | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ |
| Paket / Fall | 28-SOJ | Verfügbare Menge | 8147 pcs |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 20ns | Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Technologie | SRAM - Asynchronous | Supplier Device-Gehäuse | 28-SOJ |
| Serie | - | Verpackung / Gehäuse | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
| Paket | Bulk | Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 1Mbit | Speicherorganisation | 256K x 4 |
| Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | SRAM |
| Grundproduktnummer | CY7C106 | Zugriffszeit | 20 ns |
| CY7C106B-20VC Einzelheiten PDF [English] | CY7C106B-20VC PDF - EN.pdf | ||
| Herunterladen | CY7C106B-20VC Einzelheiten PDF | ||
Produktmodell
CY7C106B-20VC
Einführung
Asynchroner SRAM-Speicherchip
Marke und Hersteller
Infineon Technologies
Merkmale
Flüchtiger Speicher, SRAM - Asynchrone Technologie, Zugriffszeit 20ns
Produktleistung
Schnelle Schreibzykluszeit - 20ns, Hochzuverlässiger SRAM-Speicher, Arbeitet bei einer Spannung von 4.5V bis 5.5V
Technische Spezifikationen
Speicherart: SRAM, Speicherkapazität: 1Mbit, Speicherorganisation: 256K x 4, Parallele Speicher-Schnittstelle
Abmessungen, Form und Verpackung
Gehäuse: 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite), Montagetype: Oberflächenmontage, Großverpackung
Qualität und Zuverlässigkeit
Aktiver Produktstatus, Entwickelt für industrielle Hauptanwendungen
Produktvorteile
Hochgeschwindigkeitszugriff und Schreibfähigkeiten
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig im hochleistungsfähigen SRAM-Marktsegment
Kompatibilität
Kompatibel mit parallelen Schnittstellensystemen
Standardzertifizierung und Konformität
Erfüllt die Standardzertifizierungen der Industrie für SRAM-Speicher
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit in eingebetteten Systemen
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Breit anwendbar in der Computer-, Netzwerk- und Industriesektoren
Mailen Sie uns: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ CY7C106B-20VC Online.
| CY7C106B-20VC-Lager | CY7C106B-20VC Preis | CY7C106B-20VC-Elektronik | |||
| CY7C106B-20VC-Komponenten | CY7C106B-20VC Inventar | CY7C106B-20VC Digikey | |||
| Lieferant CY7C106B-20VC | CY7C106B-20VC online bestellen | Anfrage CY7C106B-20VC | |||
| CY7C106B-20VC-Bild | CY7C106B-20VC Bild | CY7C106B-20VC PDF | |||
| CY7C106B-20VC Datenblatt | CY7C106B-20VC Datenblatt herunterladen | Hersteller Cypress Semiconductor | |||
| Zugehörige Teile für CY7C106B-20VC | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
 |
CY7C106B-15VC | CY7C106B-15VC CYPRESS | CYPRESS | ||
 |
CY7C106B-25VC | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ | Cypress Semiconductor Corp | ||
 |
CY7C1069GN30-10ZSXI | IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II | Infineon Technologies | ||
|
CY7C106B-15V | CYPRESS SOJ28 | CYPRESS | ||
|
CY7C106A-15VC | CY7C106A-15VC CYPRESS | CYPRESS | ||
 |
CY7C1069GN30-10BVXIT | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | Infineon Technologies | ||
 |
CY7C106D-10VXIT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ | Infineon Technologies | ||
|
CY7C1071DV33-12BAXES | CYPRESS SOP | CYPRESS | ||
|
CY7C106B-20VCT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ | Cypress Semiconductor Corp | ||
|
CY7C106B-15VCT | CY7C106B-15VCT CYPRESS | CYPRESS | ||
|
CY7C106B-15VXC | CY7C106B-15VXC CYPRESS | CYPRESS | ||
|
CY7C1069GN30-10ZSXIT | IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II | Infineon Technologies | ||
|
CY7C1069GN30-10ZSXI IC | CYPRESS SOP | CYPRESS | ||
 |
CY7C107-15VC | CY7C107-15VC CY | CY | ||
|
CY7C106B-25VCT | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ | Cypress Semiconductor Corp | ||
 |
CY7C106BN-1XW14 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL | Infineon Technologies | ||
|
CY7C106BN-15VC | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ | Cypress Semiconductor Corp | ||
|
CY7C106A-25VC | ||||
 |
CY7C1071DV33-12BAXI | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA | Infineon Technologies | ||
|
CY7C106D-10VXI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ | Infineon Technologies | ||
Nachrichten
Mehr
Der PolarRire® Soc FPGA von Microchip hat eine AEC -Q100 -Zertifizierung erhalten und die Zuverlässigkeit unter harten Automobilbedingungen bestäti...
Das PSOCTM 4000T ist das erste Produkt von Infineon, das die CapSense ™ -Technologie der fünften Generation und die Multi-Sense-Funktionalität des ...
Ein Automobil -Manager für Autoteile ergab, dass die EV -Entwicklung auf dem nordamerikanischen Markt ins Stocken geraten ist, da die Autohersteller ...
Infineon und Estron erweitern ihre Zusammenarbeit mit der Zusammenarbeit zwischen AI Battery Management System (BMS) in Industrie- und Unterhaltungsel...
Auf Semiconductor kündigte kürzlich den Start des ITOF-Sensors in Echtzeit, die Hyperlux-ID-Serie, die eine hochpräzise Langstreckenmessung und die...
Neue Produkte
Mehr
PD30 Serie Photoelektrischer Sensor Die Miniatur-Lichtschranken von Carlo Gavazzi sind leistungsstar...
XC112 / XR112 Evaluierungskit für das gepulste kohärente Radar A111Acconeers XC112 und XR112 Evaluierungskit mit flachen flexiblen Kabeln und Unters...
MINAS A6-Serie Servoantriebe und Motoren Panasonics MINAS A6-Familie gewährleistet einen stabilen B...
UV-LED-Treiberplatine RayVios UV-LED-Treiberplatine für XE- und XP1-UV-C-Emitter RayVios ultravio...
Industrieller und erweiterter Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-Bausteine garantieren den Betri...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright-Hinweis © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle Rechte vorbehalten.