Si3865DV-T1-GE3
Artikelnummer Si3865DV-T1-GE3
Hersteller VISHAY
Beschreibung Si3865DV-T1-GE3 VISHAY
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Technische Information von Si3865DV-T1-GE3
Hersteller-Teilenummer Si3865DV-T1-GE3 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller VPG Sensors Beschreibung Si3865DV-T1-GE3 VISHAY
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Produktmodell

Si3865DV-T1-GE3

Einführung

Mosfet-Leistungs-IC, das für effizientes Energiemanagement entwickelt wurde

Marke und Hersteller

Vishay Siliconix

Merkmale

Niedriger Einschaltwiderstand, Hochgeschwindigkeitsschaltung, Minimierte Gate-Ladung, Niedrige Schwellen-Spannung

Produktleistung

Erweiterte Leistungskapazität, Stabile Betriebsbedingungen über einen weiten Temperaturbereich

Technische Spezifikationen

P-Kanal -30V -3,7A (Ta), PowerTrench-MOSFET, Oberflächenmontage

Abmessungen, Form und Verpackung

SOT-23-6 Gehäuse, Kleines und kompaktes Design, Standard-Tape- und Reel-Verpackung für SMT

Qualität und Zuverlässigkeit

Bewährte Qualität und Zuverlässigkeit von Vishay, AEC-Q101-zertifiziert, Erweiterte Temperaturleistung

Produktvorteile

Energieeffizienter Betrieb, Reduzierter Wärmefußabdruck, Robust gegen häufiges Schalten

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Preise für Energiemanagementlösungen, Überlegene Leistung in leichten Anwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit gängigen SMT-Prozessen, Vielseitig für verschiedene elektronische Schaltungen

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform, AEC-Q101-zertifiziert, Entspricht industrieweiten Zertifizierungsstandards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer unter empfohlenen Bedingungen, Bleifre komponenten und halogenfrei

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Energieverwaltung für tragbare Geräte, Batteriebetriebene Elektronik, DC/DC-Wandler, Lastschalter-Anwendungen

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