Produktmodell

SKM200GB123D

Einführung

Das IGBT (Isolierter Gate-Bipolartransistor) Modul von Semikron International wurde für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in der Leistungselektronik entwickelt.

Marke und Hersteller

Semikron International

Merkmale

Hohe Stromfähigkeit, niedriger Leistungsverlust, schnelle Schaltgeschwindigkeit, integrierte Freilaufdiode.

Produktleistung

Ausgezeichnete thermische Leistung, hohe Effizienz bei der Leistungskonversion, robust gegen schwierige Bedingungen.

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 200A, Modulkonstruktion: Halbbücke.

Abmessungen, Form und Verpackung

Standardgröße des Industrie-Moduls, rechteckige Form, sicher verpackt für den Transport.

Qualität und Zuverlässigkeit

Konstruiert, um hohen Belastungen in industriellen Umgebungen standzuhalten, lange Betriebslebensdauer mit minimaler Verschlechterung.

Produktvorteile

Erhöht die Leistungsdichte, reduziert die Systemkomplexität.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hoch wettbewerbsfähig in Anwendungen, die hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern.

Kompatibilität

Kompatibel mit einer Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht internationalen Sicherheits- und Leistungsstandards.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für eine lange Lebensdauer mit nachhaltiger Leistung unter wiederholten Bedingungen entwickelt.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Erneuerbare Energiesysteme, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, industrielle Motorantriebe, Stromversorgungseinheiten.

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