Produktmodell

STW88N65M5

Einführung

Hochvolt N-Kanal MOSFET

Marke und Hersteller

STMicroelectronics

Merkmale

N-Kanal MOSFET-Technologie; Hohe Drain-Source-Spannung (Vdss) von 650 V; Betriebstemperatur bis zu 150°C (TJ); Durchsteckmontage im TO-247-3 Gehäuse; Hoher kontinuierlicher Drainstrom von 84 A bei 25°C; Niedriger Rds(on)-Wert von 29 mOhm; Gate-Ladung (Qg) von 204 nC bei 10 V

Produktleistung

Maximale Verlustleistung von 450 W; Schwellenwertspannung (Vgs(th)) von 5 V bei 250 A; Eingangskapazität (Ciss) von 8825 pF bei 100 V; Gate-Source-Spannung Vgs (Max) von ±25 V

Technische Spezifikationen

FET-Typ: N-Kanal; Drain-Source-Spannung: 650 V; Strom - Kontinuierlicher Drain: 84 A (Tc); Rds On: 29 mOhm

Abmessungen, Form und Verpackung

Gehäuse / Verpackung: TO-247-3; Montagetyp: Durchsteckmontage; Verpackung: Röhrchen

Qualität und Zuverlässigkeit

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Produktvorteile

Entwickelt für Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Energieeffizienz

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Teil der MDmesh V-Serie, die einen reduzierten Einschaltwiderstand und niedrigere Schaltverluste bietet

Kompatibilität

Durchsteckdesign kompatibel mit Standard-PB-Montagetechniken

Standardzertifizierung und Konformität

Bleifrei / RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Robuste Konstruktion für langfristige Zuverlässigkeit

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen einschließlich Wandler und Wechselrichter

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