SI6968EADQ-T1-GE3
Artikelnummer SI6968EADQ-T1-GE3
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Technische Information von SI6968EADQ-T1-GE3
Hersteller-Teilenummer SI6968EADQ-T1-GE3 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
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Produktmodell

SI6968EADQ-T1-GE3

Einführung

Leistungsfähiger integrierter Schaltkreis für komplexe elektronische Anwendungen

Marke und Hersteller

VB (Vishay Siliconix)

Merkmale

Niedrige Diodenwiderstände, Schnelle Schaltgeschwindigkeit, Hochleistungs-EinkerbungsmosfET-Technologie, Optimiert für Leistungsmanagement-Anwendungen

Produktleistung

Hohe Effizienz durch geringe Leistungsverluste, Robuste thermische Leistung unter Last, Hervorragende Signalintegrität

Technische Spezifikationen

P-Kanal MOSFET, -20V Drain-to-Source Spannung (Vds), -8,9A Drainstrom (Id) bei 25°C, PowerPAK® SO-8L Gehäuse

Abmessungen, Form und Verpackung

Länge: 4,9mm, Breite: 6mm, Höhe: 1,07mm, Gehäuse: PowerPAK® SO-8L, Reel Verpackung für automatisierte Bestückung

Qualität und Zuverlässigkeit

AEC-Q101 zertifiziert, Betrieb über einen erweiterten Temperaturbereich, Getestet auf Ausdauer und Langlebigkeit unter Stress

Produktvorteile

Energiesparend durch hohe Effizienz, Kompaktes Design für platzbeschränkte Anwendungen, Thermisch verbessertes Gehäuse für bessere Wärmeableitung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig im Preis innerhalb der Kategorie spezialisierter ICs, Fortgeschrittene Technologie für überlegene Leistung

Kompatibilität

Kompatibel mit Standardoberflächenmontagetechnologie (SMT), Schnittstellen mit verschiedenen Arten von elektronischen Steuerkreisen

Standardzertifizierung und Konformität

AEC-Q101-Standard konform, RoHS-konform für Umweltstandards, PPAP-fähig

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für einen langen Betriebslebenszyklus ausgelegt, Konformität mit Umweltvorschriften zur Sicherstellung der Nachhaltigkeit

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Leistungsschaltungen, Motorsteuermodule, Batteriemanagementsysteme, Automobil-Elektronik, Portable Elektronik

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