US1BW | |
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Artikelnummer | US1BW |
Hersteller | PANJIT |
Beschreibung | |
Verfügbare Menge | 20500 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
US1BW Price |
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Technische Information von US1BW | |||
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Hersteller-Teilenummer | US1BW | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Hersteller | PANJIT | Beschreibung | |
Paket / Fall | DO-214AC | Verfügbare Menge | 20500 pcs |
Bedingung | New Original Stock | Garantie | 100% Perfect Functions |
Vorlaufzeit | 2-3days after payment. | Zahlung | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
Versand per | DHL / Fedex / UPS | Hafen | HongKong |
Anfrage-E-Mail |
US1BW
Silizium-Gleichrichterdiode
PANJIT
Schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringer Durchlassspannungsabfall, hohe Überspannungsfähigkeit, niedriger Leckstrom
Hohe Effizienz zur Reduzierung von Leistungsverlusten, stabile Leistung im weiten Temperaturbereich
Wiederholte Durchbruchspannung: 100V, durchschnittlicher gleichgerichteter Vorwärtsstrom: 1A, nicht-wiederholte Spitzenstromführung: 30A, Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +150°C
DO-214AA-Gehäuse, kompaktes SMD-Design, Lieferung in Tape und Reel für automatisierte Montage
Konsistente Leistung über Chargen hinweg, langfristige Stabilität
Geeignet für hochdichte Schaltkreis Designs, minimalistische und zuverlässige Bauweise
Wettbewerbsfähige Preise im spezialisierten IC-Markt, kombiniert kleines Formfaktor mit hoher Effizienz
Entwickelt für eine einfache Integration in verschiedene elektronische Schaltungen
RoHS-konform, REACH-konform
Für eine längere Betriebslebensdauer entwickelt, umweltfreundliche Materialien und Produktionsprozesse
Stromversorgungsgeräte, Unterhaltungselektronik, Telekommunikationssysteme, Automobilelektronik
US1BW-Lager | US1BW Preis | US1BW-Elektronik | |||
US1BW-Komponenten | US1BW Inventar | US1BW Digikey | |||
Lieferant US1BW | US1BW online bestellen | Anfrage US1BW | |||
US1BW-Bild | US1BW Bild | US1BW PDF | |||
US1BW Datenblatt | US1BW Datenblatt herunterladen | Hersteller PANJIT |
Zugehörige Teile für US1BW | |||||
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Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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US1BHE3/5AT | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
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US1BHR3G | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Taiwan Semiconductor Corporation | ||
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US1C-TP | DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC | Micro Commercial Co | ||
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US1D | Diodes - Rectifiers - Single SMA | Yangjie Technology | ||
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US1BHE3/5AT | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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US1C | TOS SMA | TOS | ||
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US1C-E3/61T | US1C-E3/61T VISHAY | VISHAY | ||
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US1D IC | TOSHIBA SMA | TOSHIBA | ||
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US1D M2G | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | TSC (Taiwan Semiconductor) | ||
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US1BHE3/61T | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
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US1BWF-HF | DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123F | Comchip Technology | ||
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US1BHM2G | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Taiwan Semiconductor Corporation | ||
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US1B_R1_00001 | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | Panjit International Inc. | ||
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US1CFL-TP | Interface | Micro Commercial Co | ||
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US1BHE3_A/H | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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US1BHE3/61T | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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US1BHE3_A/H | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
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US1CE-TP | DIODE GEN PURP 150V 1A SMAE | Micro Commercial Co | ||
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US1BHE3_A/I | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
US1BHE3_A/I | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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