Produktmodell

UPD43256BGU-70Y-E2

Einführung

Dies ist ein leistungsstarker SRAM (Static Random-Access Memory), bereitgestellt von Renesas Electronics America.

Marke und Hersteller

Renesas Electronics America

Merkmale

Flüchtiger Speicher

Ein-Port, asynchrone SRAM-Technologie

Paralleles Speicherinterface

Produktleistung

Schreibzykluszeit Wort, Seite: 70 ns

Zugriffszeit: 70 ns

Betriebstemperaturbereich: 0 °C bis 70 °C

Technische Spezifikationen

Speicherkapazität: 256 Kbit

Speicherorganisation: 32 K x 8

Versorgungsspannung: 4,5 V ~ 5,5 V

Abmessungen, Form und Verpackung

Verpackung: Bulk

Montagetyp: Oberflächenmontage

Gehäuse: 28-SOIC (0,330″, 8,40 mm Breite)

Lieferantengerätepaket: 28-SOP

Qualität und Zuverlässigkeit

Gewährleistet zuverlässige und stabile Leistung innerhalb des angegebenen Betriebstemperaturbereichs.

Produktvorteile

Schneller Zugriff und Schreibzykluszeiten

Effiziente Energieverwendung im Bereich von 4,5 V ~ 5,5 V

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Positioniert als wettbewerbsfähige Wahl im Markt für Speicherlösungen, die Hochgeschwindigkeitsoperationen benötigen.

Kompatibilität

Kompatibel mit Systemen, die eine parallele Schnittstelle und Versorgungsspannungen zwischen 4,5 V und 5,5 V erfordern.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den gängigen Branchenzertifizierungen für SRAM-Technologie und Sicherheitsstandards basierend auf seinem Design und den Betriebsparametern.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für eine lange Betriebsdauer mit effizienter Energieverwendung, die zur Nachhaltigkeit in Technologieanwendungen beiträgt.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Geeignet für Hochgeschwindigkeits-Computing-Bedürfnisse, industrielle Steuerungen und eingebettete Systeme, die einen schnellen Zugriff auf flüchtigen Speicher benötigen.

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