Produktmodell

MTD080P06J3

Einführung

Power MOSFET-Transistor, der für ein effizientes Energiemanagement in elektronischen Schaltungen entwickelt wurde

Marke und Hersteller

CYSTECH

Merkmale

N-Kanal, niedriger Drain-Source-Widerstand, schnelles Schalten, hohe Leistung und Stromhandhabungskapazität, verbesserte thermische Leistung, reduzierter Gate-Ladungsbedarf

Produktleistung

Robuste kontinuierliche Drain-Stromfähigkeit, hoher Spannungsgrenzwert, stabile Performance bei hohen Frequenzen, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste, ausgezeichnete Temperaturstabilität

Technische Spezifikationen

Drain-Source-Spannungsbewertung (Vds), Gate-Source-Spannung (Vgs), kontinuierlicher Drain-Strom (Id), Verlustleistung (Pd), RDS(on) Werte, totale Gate-Ladung (Qg)

Abmessungen, Form und Verpackung

TO-252-Gehäuse, exakte Abmessungen für Montageszwecke, Verpackung geeignet für automatisierte Montage

Qualität und Zuverlässigkeit

Konsistente Leistung über verschiedene Produktionschargen, getestet auf Langlebigkeit unter variierenden Umweltbedingungen, lange Betriebslebensdauer

Produktvorteile

Energieeffizientes Design, Reduzierung des Gesamtsystemstromverlusts, Eignung für hochdichte Energieanwendungen, einfache Integration in Schaltungsentwürfe

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Kosteneffektiv im Vergleich zu Wettbewerbern, Leistung entspricht oder übertrifft Branchenstandards

Kompatibilität

Funktioniert mit einer breiten Palette von Betriebs-Spannungen, integriert sich mit Standard-Elektrokomponenten und PCB-Layouts

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht relevanten Branchenstandards für Sicherheit und Leistung, Zertifizierungsdetails nach Bedarf

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für den langfristigen Einsatz in elektronischen Geräten konzipiert, verwendete Materialien entsprechen Nachhaltigkeitsstandards

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Stromversorgungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Automobilanwendungen, Schaltanwendungen

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