| CSD13303W1015 | |
|---|---|
| Artikelnummer | CSD13303W1015 |
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA |
| Verfügbare Menge | 2757 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.CSD13303W1015.pdf2.CSD13303W1015.pdf3.CSD13303W1015.pdf |
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| CSD13303W1015 Price |
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| Technische Information von CSD13303W1015 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | CSD13303W1015 | Kategorie | |
| Hersteller | N/A | Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA |
| Paket / Fall | 6-DSBGA (1x1.5) | Verfügbare Menge | 2757 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Serie | NexFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.65W (Ta) | Verpackung / Gehäuse | 6-UFBGA, DSBGA |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 715 pF @ 6 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 31A (Ta) |
| Grundproduktnummer | CSD13303 | CSD13303W1015 Einzelheiten PDF [English] | CSD13303W1015 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
CSD13303W1015
Einführung
N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich des hochgradigen Energie-Managements entwickelt wurde
Marke und Hersteller
Luminary Micro / Texas Instruments
Merkmale
N-Kanal MOSFET
Hoher kontinuierlicher Drainstrom von 31A
Niedriger Einschaltwiderstand von 20 mOhm
Hohe Effizienz mit einer Wärmeabgabe von 1,65W
Geeignet für kompakte Designs mit platzsparender Verpackung
Produktleistung
Betrieb zwischen -55°C und 150°C
Hohe Drain-Source-Spannung von 12V
Robuste Gate-Ladung und Eingangskapazitätsparameter
Technische Spezifikationen
FET-Typ: N-Kanal
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id): 31A bei 25°C
Rds On (Max): 20 mOhm bei 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (Max): 1,2V bei 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max): 4,7nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max): 715pF bei 6V
Abmessungen, Form und Verpackung
Gehäuse / Bauform: 6-UFBGA, DSBGA
Lieferanten-Geräteverpackung: 6-DSBGA
Verpackung: Tape & Reel (TR)
Qualität und Zuverlässigkeit
Bleifrei und RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)
Produktvorteile
Hervorragende thermische Leistung und Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen
Effiziente Leistungsbewältigung
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Entwickelt für Energieeffizienz, was die Wettbewerbsfähigkeit in energieempfindlichen Anwendungen erhöht
Kompatibilität
Kompatibel mit der standardmäßigen Oberflächenmontagetechnologie und -prozessen
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den Branchenstandards für Umwelt- und Fertigungssicherheit
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Robust und für langfristige Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit konzipiert
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Verwendet in Energiemanagementsystemen in verschiedenen Elektronikbereichen, einschließlich Computer, Telekommunikationsgeräte und Unterhaltungselektronik
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| CSD13303W1015-Lager | CSD13303W1015 Preis | CSD13303W1015-Elektronik | |||
| CSD13303W1015-Komponenten | CSD13303W1015 Inventar | CSD13303W1015 Digikey | |||
| Lieferant CSD13303W1015 | CSD13303W1015 online bestellen | Anfrage CSD13303W1015 | |||
| CSD13303W1015-Bild | CSD13303W1015 Bild | CSD13303W1015 PDF | |||
| CSD13303W1015 Datenblatt | CSD13303W1015 Datenblatt herunterladen | Hersteller | |||
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