| IRF1010NS | |
|---|---|
| Artikelnummer | IRF1010NS |
| Hersteller | IR |
| Beschreibung | IRF1010NS IR |
| Verfügbare Menge | 31849 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
| Herunterladen | IRF1010NS Einzelheiten PDF |
| IRF1010NS Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische Information von IRF1010NS | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IRF1010NS | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Hersteller | IR | Beschreibung | IRF1010NS IR |
| Paket / Fall | Verfügbare Menge | 31849 pcs | |
| Paket | D2-Pak | Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions | Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Zahlung | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong | Anfrage-E-Mail | |
| IRF1010NS Einzelheiten PDF [English] | IRF1010NS PDF - EN.pdf | ||
| Herunterladen | IRF1010NS Einzelheiten PDF | ||
Produktmodell
IRF1010NS
Einführung
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Marke und Hersteller
International Rectifier (IR)
Merkmale
N-Kanal Leistungs-MOSFET, niedriger Einschaltwiderstand, schnelle Schaltgeschwindigkeit, Minimierung der Gate-Ladung für schnellere Schaltungen, avalanchefeste Technologie, vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-Spannung.
Produktleistung
Hohe Stromtragfähigkeit, ausgezeichnete thermische Stabilität, verbesserte Leistungsaufnahme, effizient im Hochfrequenzbereich Einsatz.
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung (Vds): 55V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 85A, Leistungsabgabe (Pd): 200W, Rds(on): 8,0 mOhm, Gate-Ladung (Qg): 220nC.
Abmessungen, Form und Verpackung
Gehäuse: D2PAK (TO-263), bleifrei, RoHS-konform.
Qualität und Zuverlässigkeit
Erweiterter Temperaturbereich, robuste Konstruktion für eine verlängerte Lebensdauer.
Produktvorteile
Optimiert für niedrige Gate-Antriebsanforderungen, reduzierte Einschaltverluste, kosteneffizientes Design für gewerbliche und industrielle Märkte.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Hohe Effizienz für energieempfindliche Anwendungen, starke Reputation des Herstellers für Zuverlässigkeit.
Kompatibilität
Geeignet für Standard-Gate-Antriebs-Spannungen, verwendbar in verschiedenen Schaltungen als direkter Ersatz für kompatible Parameter.
Standardzertifizierung und Konformität
RoHS-konform, bleifrei (Pb).
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Für lange Betriebszeit ausgelegt, erfüllt Umweltstandards für sichere Entsorgung und Nachhaltigkeit.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Netzteile, DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen, Automobilanwendungen, Schaltanwendungen.
Mailen Sie uns: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ IRF1010NS Online.
| IRF1010NS-Lager | IRF1010NS Preis | IRF1010NS-Elektronik | |||
| IRF1010NS-Komponenten | IRF1010NS Inventar | IRF1010NS Digikey | |||
| Lieferant IRF1010NS | IRF1010NS online bestellen | Anfrage IRF1010NS | |||
| IRF1010NS-Bild | IRF1010NS Bild | IRF1010NS PDF | |||
| IRF1010NS Datenblatt | IRF1010NS Datenblatt herunterladen | Hersteller IR | |||
| Zugehörige Teile für IRF1010NS | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
 |
IRF1010EZS | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | Infineon Technologies | ||
 |
IRF1010NS MOS | IR D2-PAK | IR | ||
|
IRF1010NSTRR | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IRF1010NSTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | Infineon Technologies | ||
 |
IRF1010NPBF | MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB | Infineon Technologies | ||
|
IRF1010NSTRL | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | Infineon Technologies | ||
 |
IRF1010NL | MOSFET N-CH 55V 85A TO262 | Infineon Technologies | ||
|
IRF1010NLPBF | MOSFET N-CH 55V 85A TO262 | Infineon Technologies | ||
 |
IRF1010NPBF MOS | INFINEON TO-220 | INFINEON | ||
|
IRF1010EZSTRLP | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IRF1010NSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IRF1010EZSTRLPBF | IR TO-263 | IR | ||
|
IRF1010N | IRF1010N IR | IR | ||
|
IRF1010N/F1010N | IR | |||
|
IRF1010S | IRF1010S IR | IR | ||
|
IRF1010EZSPBF | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IRF1010PBF | IRF1010PBF VB | VB | ||
|
IRF1010NSTRLPBF MOS | IR TO-263 | IR | ||
|
IRF1010NSPBF | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IRF1010NSPBF MOS | IR TO-263 | IR | ||
Nachrichten
Mehr
Der PolarRire® Soc FPGA von Microchip hat eine AEC -Q100 -Zertifizierung erhalten und die Zuverlässigkeit unter harten Automobilbedingungen bestäti...
Das PSOCTM 4000T ist das erste Produkt von Infineon, das die CapSense ™ -Technologie der fünften Generation und die Multi-Sense-Funktionalität des ...
Ein Automobil -Manager für Autoteile ergab, dass die EV -Entwicklung auf dem nordamerikanischen Markt ins Stocken geraten ist, da die Autohersteller ...
Infineon und Estron erweitern ihre Zusammenarbeit mit der Zusammenarbeit zwischen AI Battery Management System (BMS) in Industrie- und Unterhaltungsel...
Auf Semiconductor kündigte kürzlich den Start des ITOF-Sensors in Echtzeit, die Hyperlux-ID-Serie, die eine hochpräzise Langstreckenmessung und die...
Neue Produkte
Mehr
PD30 Serie Photoelektrischer Sensor Die Miniatur-Lichtschranken von Carlo Gavazzi sind leistungsstar...
XC112 / XR112 Evaluierungskit für das gepulste kohärente Radar A111Acconeers XC112 und XR112 Evaluierungskit mit flachen flexiblen Kabeln und Unters...
MINAS A6-Serie Servoantriebe und Motoren Panasonics MINAS A6-Familie gewährleistet einen stabilen B...
UV-LED-Treiberplatine RayVios UV-LED-Treiberplatine für XE- und XP1-UV-C-Emitter RayVios ultravio...
Industrieller und erweiterter Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-Bausteine garantieren den Betri...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright-Hinweis © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle Rechte vorbehalten.