IPP220N25NFD | |
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Artikelnummer | IPP220N25NFD |
Hersteller | Infineon Technologies |
Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 |
Verfügbare Menge | 2363 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
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IPP220N25NFD Price |
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Technische Information von IPP220N25NFD | |||
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Hersteller-Teilenummer | IPP220N25NFD | Kategorie | |
Hersteller | IR | Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 |
Paket / Fall | PG-TO220-3 | Verfügbare Menge | 2363 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3 |
Serie | OptiMOS™FD | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 61A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7076 pF @ 125 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 61A (Tc) | IPP220N25NFD Einzelheiten PDF [English] | IPP220N25NFD PDF - EN.pdf |
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IPP220N25NFD
Dies ist ein spezialisiertes integriertes Schaltkreis, das hauptsächlich für Anwendungen im Bereich Energiemanagement verwendet wird.
Infineon Technologies (ehemals bekannt als IR)
Hohe Effizienz durch optimierte Gatterladung
Schnelle Schaltfähigkeiten
Niedriger Einschaltwiderstand für bessere Leitfähigkeit
Robuste thermische Leistung
Verbesserte Leistungsaufnahme
Stabile Leistung unter variierenden Umweltbedingungen
Typ: MOSFET
Konfiguration: Einfach
Drain-zu-Source-Spannung (Vdss): 250V
Ständig Drain-Strom (Id) @ 25°C: 220A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4,5 mOhm @ 100A, 10V
Gatterladung (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V
Gehäuse: TO-220
Rechteckige Form typisch für TO-220 Gehäuse
Verkauft in antistatischer Verpackung
Hohe Zuverlässigkeit mit Beständigkeit in rauen Umgebungen
Erfüllt Branchenqualitätsstandards
Hohe Stromfähigkeit verbessert die Energieeffizienz
Niedriger thermischer Widerstand ermöglicht bessere Wärmeableitung
Wettbewerbsfähig in Hochleistungsanwendungen im Vergleich zu ähnlichen MOSFETs
Bietet ein Gleichgewicht zwischen Leistung und Kosten
Kompatibel mit Standard-MOSFET-Treibern und thermischen Managementsystemen
Entspricht den erforderlichen Branchenzertifizierungen für Sicherheit und Leistung
Entwickelt für eine lange Betriebsdauer unter typischen elektrischen und thermischen Belastungen
Umweltfreundliche Optionen in der Herstellung und Entsorgung verfügbar
Stromversorgungsgeräte
DC-DC-Wandler
Motorantriebe
Automobilanwendungen
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