IPP220N25NFD
Artikelnummer IPP220N25NFD
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
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Technische Information von IPP220N25NFD
Hersteller-Teilenummer IPP220N25NFD Kategorie  
Hersteller IR Beschreibung MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
Paket / Fall PG-TO220-3 Verfügbare Menge 2363 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3
Serie OptiMOS™FD Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 61A, 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Paket Bulk Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7076 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc) IPP220N25NFD Einzelheiten PDF [English] IPP220N25NFD PDF - EN.pdf
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Produktmodell

IPP220N25NFD

Einführung

Dies ist ein spezialisiertes integriertes Schaltkreis, das hauptsächlich für Anwendungen im Bereich Energiemanagement verwendet wird.

Marke und Hersteller

Infineon Technologies (ehemals bekannt als IR)

Merkmale

Hohe Effizienz durch optimierte Gatterladung

Schnelle Schaltfähigkeiten

Niedriger Einschaltwiderstand für bessere Leitfähigkeit

Robuste thermische Leistung

Produktleistung

Verbesserte Leistungsaufnahme

Stabile Leistung unter variierenden Umweltbedingungen

Technische Spezifikationen

Typ: MOSFET

Konfiguration: Einfach

Drain-zu-Source-Spannung (Vdss): 250V

Ständig Drain-Strom (Id) @ 25°C: 220A

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4,5 mOhm @ 100A, 10V

Gatterladung (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V

Abmessungen, Form und Verpackung

Gehäuse: TO-220

Rechteckige Form typisch für TO-220 Gehäuse

Verkauft in antistatischer Verpackung

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Zuverlässigkeit mit Beständigkeit in rauen Umgebungen

Erfüllt Branchenqualitätsstandards

Produktvorteile

Hohe Stromfähigkeit verbessert die Energieeffizienz

Niedriger thermischer Widerstand ermöglicht bessere Wärmeableitung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in Hochleistungsanwendungen im Vergleich zu ähnlichen MOSFETs

Bietet ein Gleichgewicht zwischen Leistung und Kosten

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-MOSFET-Treibern und thermischen Managementsystemen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den erforderlichen Branchenzertifizierungen für Sicherheit und Leistung

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für eine lange Betriebsdauer unter typischen elektrischen und thermischen Belastungen

Umweltfreundliche Optionen in der Herstellung und Entsorgung verfügbar

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Stromversorgungsgeräte

DC-DC-Wandler

Motorantriebe

Automobilanwendungen

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