FDW258P
Artikelnummer FDW258P
Hersteller Fairchild Semiconductor
Beschreibung MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
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Technische Information von FDW258P
Hersteller-Teilenummer FDW258P Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Fairchild Semiconductor Beschreibung MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
Paket / Fall 8-TSSOP Verfügbare Menge 92624 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP
Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket Bulk Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5049 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 4.5 V Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta)
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