CY62157DV30LL-70BVI | |
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Artikelnummer | CY62157DV30LL-70BVI |
Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
Beschreibung | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA |
Verfügbare Menge | 2643 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | CY62157DV30LL-70BVI.pdf |
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Technische Information von CY62157DV30LL-70BVI | |||
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Hersteller-Teilenummer | CY62157DV30LL-70BVI | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Hersteller | Cypress Semiconductor Corp | Beschreibung | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA |
Paket / Fall | 48-VFBGA (6x8) | Verfügbare Menge | 2643 pcs |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 70ns | Spannungsversorgung | 2.2V ~ 3.6V |
Technologie | SRAM - Asynchronous | Supplier Device-Gehäuse | 48-VFBGA (6x8) |
Serie | MoBL® | Verpackung / Gehäuse | 48-VFBGA |
Paket | Bulk | Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 8Mbit | Speicherorganisation | 512K x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | SRAM |
Grundproduktnummer | CY62157 | Zugriffszeit | 70 ns |
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CY62157DV30LL-70BVI
Das CY62157DV30LL-70BVI ist ein flüchtiges SRAM-Speichermodul, das für Hochgeschwindigkeits-Anwendungen der asynchronen Datenspeicherung entwickelt wurde.
Marke: Infineon Technologies, Hersteller: Infineon Technologies
Flüchtiger Speichertyp gewährleistet Datenhaltung nur während der Stromversorgung
Nutzt SRAM-Technologie für schnelle Leseund Schreibvorgänge
Asynchrones Speicherformat für unabhängige Steuerung von Einund Ausgangssignalen
Bulk-Verpackung für kosteneffektive Bereitstellung in verschiedenen Anwendungen
Bezeichnung der MoBL®-Serie zeigt Kompatibilität mit Mobile LPDDR SDRAM-Technologie an
Schreibzykluszeit von 70 ns für effiziente Datenspeicheroperationen
Zugriffszeit von 70 ns sichert eine schnelle Abfrage gespeicherter Informationen
Betriebstromspannungsbereich von 2,2 V bis 3,6 V für vielseitige Stromversorgungsmöglichkeiten
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für zuverlässige Leistung in verschiedenen Umgebungen
Speicherkapazität: 8 Mbit
Speicherorganisation: 512 K x 16
Speicher-Schnittstelle: Parallel
Gehäuse / Paket: 48-VFBGA (6x8)
Zulieferer-Gerät-Paket: 48-VFBGA (6x8)
Basis-Produktnummer: CY62157
Paketabmessungen geeignet für SMD-Installation
48-VFBGA-Paket mit Abmessungen von 6x8 für kompakte Integration
Bulk-Verpackung für bequeme Bereitstellung in Großprojekten
Hergestellt von Infineon Technologies, einer renommierten Marke, die für qualitativ hochwertige Halbleiterlösungen bekannt ist
Entworfen zur Erfüllung von Industriestandards hinsichtlich Zuverlässigkeit und Leistung
Hochgeschwindigkeitsbetrieb geeignet für Anwendungen der Echtzeitdatenverarbeitung
Vielseitiger Spannungsbereich und breiter Betriebstemperaturbereich machen es anpassungsfähig an verschiedene Umgebungen
Wettbewerbsfähige Leistung und Merkmale im Vergleich zu anderen flüchtigen SRAM-Speichermodulen seiner Klasse
Kompatibel mit Systemen, die flüchtigen SRAM-Speicher mit parallelen Schnittstellen erfordern
Entspricht den Industriestandards für die Halbleiterherstellung und -prüfung
Entworfen für langfristige Zuverlässigkeit und Haltbarkeit in anspruchsvollen Anwendungen
Hergestellt mit Materialien und Prozessen, die darauf abzielen, die Umweltbelastung zu minimieren
Ideal für den Einsatz in Telekommunikation, industrieller Automatisierung, Automobilelektronik und anderen eingebetteten Systemen, die Hochgeschwindigkeits-, energieeffiziente Speicherlösungen erfordern.
CY62157DV30LL-70BVI-Lager | CY62157DV30LL-70BVI Preis | CY62157DV30LL-70BVI-Elektronik |
CY62157DV30LL-70BVI-Komponenten | CY62157DV30LL-70BVI Inventar | CY62157DV30LL-70BVI Digikey |
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