CY62157DV30LL-70BVI
Artikelnummer CY62157DV30LL-70BVI
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Verfügbare Menge 2643 pcs new original in stock.
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Technische Information von CY62157DV30LL-70BVI
Hersteller-Teilenummer CY62157DV30LL-70BVI Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Beschreibung IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Paket / Fall 48-VFBGA (6x8) Verfügbare Menge 2643 pcs
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 70ns Spannungsversorgung 2.2V ~ 3.6V
Technologie SRAM - Asynchronous Supplier Device-Gehäuse 48-VFBGA (6x8)
Serie MoBL® Verpackung / Gehäuse 48-VFBGA
Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount Speichertyp Volatile
Speichergröße 8Mbit Speicherorganisation 512K x 16
Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat SRAM
Grundproduktnummer CY62157 Zugriffszeit 70 ns
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Produktmodell

CY62157DV30LL-70BVI

Einführung

Das CY62157DV30LL-70BVI ist ein flüchtiges SRAM-Speichermodul, das für Hochgeschwindigkeits-Anwendungen der asynchronen Datenspeicherung entwickelt wurde.

Marke und Hersteller

Marke: Infineon Technologies, Hersteller: Infineon Technologies

Merkmale

Flüchtiger Speichertyp gewährleistet Datenhaltung nur während der Stromversorgung

Nutzt SRAM-Technologie für schnelle Leseund Schreibvorgänge

Asynchrones Speicherformat für unabhängige Steuerung von Einund Ausgangssignalen

Bulk-Verpackung für kosteneffektive Bereitstellung in verschiedenen Anwendungen

Bezeichnung der MoBL®-Serie zeigt Kompatibilität mit Mobile LPDDR SDRAM-Technologie an

Produktleistung

Schreibzykluszeit von 70 ns für effiziente Datenspeicheroperationen

Zugriffszeit von 70 ns sichert eine schnelle Abfrage gespeicherter Informationen

Betriebstromspannungsbereich von 2,2 V bis 3,6 V für vielseitige Stromversorgungsmöglichkeiten

Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für zuverlässige Leistung in verschiedenen Umgebungen

Technische Spezifikationen

Speicherkapazität: 8 Mbit

Speicherorganisation: 512 K x 16

Speicher-Schnittstelle: Parallel

Gehäuse / Paket: 48-VFBGA (6x8)

Zulieferer-Gerät-Paket: 48-VFBGA (6x8)

Basis-Produktnummer: CY62157

Abmessungen, Form und Verpackung

Paketabmessungen geeignet für SMD-Installation

48-VFBGA-Paket mit Abmessungen von 6x8 für kompakte Integration

Bulk-Verpackung für bequeme Bereitstellung in Großprojekten

Qualität und Zuverlässigkeit

Hergestellt von Infineon Technologies, einer renommierten Marke, die für qualitativ hochwertige Halbleiterlösungen bekannt ist

Entworfen zur Erfüllung von Industriestandards hinsichtlich Zuverlässigkeit und Leistung

Produktvorteile

Hochgeschwindigkeitsbetrieb geeignet für Anwendungen der Echtzeitdatenverarbeitung

Vielseitiger Spannungsbereich und breiter Betriebstemperaturbereich machen es anpassungsfähig an verschiedene Umgebungen

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Leistung und Merkmale im Vergleich zu anderen flüchtigen SRAM-Speichermodulen seiner Klasse

Kompatibilität

Kompatibel mit Systemen, die flüchtigen SRAM-Speicher mit parallelen Schnittstellen erfordern

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den Industriestandards für die Halbleiterherstellung und -prüfung

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entworfen für langfristige Zuverlässigkeit und Haltbarkeit in anspruchsvollen Anwendungen

Hergestellt mit Materialien und Prozessen, die darauf abzielen, die Umweltbelastung zu minimieren

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Ideal für den Einsatz in Telekommunikation, industrieller Automatisierung, Automobilelektronik und anderen eingebetteten Systemen, die Hochgeschwindigkeits-, energieeffiziente Speicherlösungen erfordern.

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