| CY62127DV30LL-55BVI | |
|---|---|
| Artikelnummer | CY62127DV30LL-55BVI |
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Beschreibung | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA |
| Verfügbare Menge | 3067 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | CY62127DV30LL-55BVI.pdf |
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| Technische Information von CY62127DV30LL-55BVI | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | CY62127DV30LL-55BVI | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp | Beschreibung | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA |
| Paket / Fall | 48-VFBGA (6x8) | Verfügbare Menge | 3067 pcs |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 55ns | Spannungsversorgung | 2.2V ~ 3.6V |
| Technologie | SRAM - Asynchronous | Supplier Device-Gehäuse | 48-VFBGA (6x8) |
| Serie | MoBL® | Verpackung / Gehäuse | 48-VFBGA |
| Paket | Bulk | Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 1Mbit | Speicherorganisation | 64K x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | SRAM |
| Grundproduktnummer | CY62127 | Zugriffszeit | 55 ns |
| CY62127DV30LL-55BVI Einzelheiten PDF [English] | CY62127DV30LL-55BVI PDF - EN.pdf | ||
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Produktmodell
CY62127DV30LL-55BVI
Einführung
Hochgeschwindigkeits-SRAM mit 1Mbit.
Marke und Hersteller
Infineon Technologies
Merkmale
Flüchtiger Speicher, asynchrone SRAM-Technologie, Massenverpackung, parallele Schnittstelle.
Produktleistung
Speichergröße von 1Mbit, 64K x 16 Organisation, Zugriffszeit von 55 ns, Schreibzykluszeit von 55 ns.
Technische Spezifikationen
Speicherformat: SRAM, Speicherkapazität: 1Mbit, Speicher-Schnittstelle: parallel, Zugriffszeit: 55 ns, Schreibzykluszeit: 55 ns.
Abmessungen, Form und Verpackung
48-VFBGA Gehäuse, Abmessungen: 6x8 Gehäuseanordnung, Oberflächenmontage.
Qualität und Zuverlässigkeit
Betriebsbereich von -40°C bis 85°C, ausgelegt für hohe Stabilität und Langlebigkeit unter instabilen Bedingungen.
Produktvorteile
Schneller Zugriff und Schreibgeschwindigkeiten, optimiert für niedrigen Energieverbrauch und Hochgeschwindigkeitsoperationen.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig gegenüber ähnlichen SRAM-Produkten durch robuste Umweltverträglichkeit und Leistungsfähigkeit.
Kompatibilität
Kompatibel mit einem breiten Spannungsbereich von 2,2 V bis 3,6 V, geeignet für verschiedene elektronische Anwendungen, die flüchtigen Speicher benötigen.
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den Branchenstandards für elektronische Komponenten und SRAM-Speicher.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Für langfristige Zuverlässigkeit unter standardmäßigen Betriebsbedingungen ausgelegt.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Verwendet in eingebetteten Systemen, Automobil-Elektronik und industriellen Anwendungen, die hochgeschwindigkeitskräftigen Speicher erfordern.
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| CY62127DV30LL-55BVI-Komponenten | CY62127DV30LL-55BVI Inventar | CY62127DV30LL-55BVI Digikey |
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